[发明专利]多晶硅生产过程中废气的回收方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产过程中废气的回收方法，该方法使用吸附装置对废气进行回收，吸附装置包括吸附柱，其特征在于，包括以下步骤：

1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱，吸附柱内装填有吸附剂，通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物；

2)将吸附柱进行分段解析，先解析出吸附的氯硅烷，再解析出吸附的其余杂质。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中的吸附剂通过物理吸附吸附废气中的氯硅烷，通过化学吸附吸附废气中的硼、磷、金属氯化物。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中的吸附剂为含有选择性吸附硼、磷、金属氯化物的官能团的树脂。

4.根据权利要求3所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中的吸附剂为改性的苯乙烯树脂、二乙烯苯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂中的一种或几种。

5.根据权利要求3所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中选择性吸附硼、磷、金属氯化物的官能团为磺酸基、羟基、胺基中的一种或几种。

6.根据权利要求1或2所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中的吸附剂的孔径为30～80nm。

7.根据权利要求1、2任意一项所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤1)中吸附条件为：不超过60℃，0～50KpaG。

8.根据权利要求1、2任意一项所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，所述步骤2)解析过程具体为：先在20～60℃，不高于-90KpaG的压力下，解析10～60分钟，解析出氯硅烷；再加热至70～90℃，在不低于-95KpaG的压力下，解析10～60分钟，解析出吸附的其余杂质。

9.根据权利要求1、2任意一项所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，吸附装置包括至少三个吸附柱，其中，至少两个吸附柱串联用于工作执行所述步骤1)、2)，至少一个吸附柱备用，备用的吸附柱的数目至少比工作的吸附柱的数目少1个。

10.根据权利要求1、2任意一项所述的多晶硅生产过程中废气的回收方法，其特征在于，多晶硅生产过程中的废气包括：三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的含量总和为40～90mas％，氢气和氮气的含量总和为9～60mas％，硼、磷、铁的氯化物、钙的氯化物、铝的氯化物含量总和为0.01～1mas％。