[发明专利]一种新型贮氢、储锂镁基合金制备方法及其应用

权利要求书

1.一种新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将铜箔、泡沫镍等集流体进行表面清洁处理；

(2)以金属镁及其他导电性能良好的金属作为靶材，采用真空磁控溅射镀膜技术，溅射制备镁基合金，制备过程中，控制本底真空为(0.5-6.5)×10^-5Pa，启辉压力为0.5-3Pa，工作气压为0.14-0.16Pa，工作温度为200-260℃，工作气流为Ar，50-100sccm，溅射功率为30-80W。

2.根据权利要求1所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的制备过程中控制本底真空为(0.5-6.5)×10^-5Pa，启辉压力为2Pa，工作气压为0.15Pa，工作温度为250℃，工作气流为Ar，85sccm，溅射功率为45W。

3.根据权利要求1所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中采用其他导电性能良好的金属作为靶材时，其真空磁控溅射镀膜工艺参数为：本底真空(0.5-1.5)×10^-5Pa，启辉压力0.5-3Pa，工作气压0.14-0.16Pa，工作温度：200-260℃，工作气流：Ar，50-100sccm，溅射功率60-120W。

4.根据权利要求1-3任一所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜技术采用的设备为高真空磁控溅射镀膜。

5.根据权利要求1所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中其他导电性能良好的金属采用金属钛、镍、金、银和锡中的任一一种或两种金属作为靶材制备成二元或三元镁基合金。

6.根据权利要求1所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中以金属镁、锡为靶材，制备成Mg-Sn二元镁基合金。

7.根据权利要求1所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中以金属镁、钛、镍为靶材，制备成Mg-Ni-Ti三元镁基合金。

8.根据权利要求5所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述二元或三元镁基合金厚度为20-200nm。

9.根据权利要求6所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法，其特征在于，所述二元或三元镁基合金厚度为100nm。

10.一种采用如权利要求1-9任一所述的新型贮氢、储锂镁基合金制备方法在制备金属氢化物镍电池的负极贮氢材料以及制备锂离子电池的负极储锂材料中的应用。