[发明专利]半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程

说明书

本发明公开了一种半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程，遮蔽制程步骤包括：点胶/涂布该半导体封装遮蔽胶料于半导体封装的局部表面、光/热固化该半导体封装遮蔽胶料、溅镀金属层、发泡剥离该半导体封装遮蔽胶料等步骤，该半导体封装遮蔽胶料在溅镀的温度不产生发泡，仅于发泡步骤时产生发泡并导致胶料剥离；本发明利用胶体形式的半导体封装胶料，完全或高度遮蔽的效果，再搭配发泡制程以及微球发泡剂，由于微球发泡剂发泡时会迅速膨胀并向外扩张，可以使半导体封装胶料完全剥离，减少残胶或溢镀的问题，有效提升半导体封装溅镀遮蔽面的品质。

技术领域

本发明涉及胶料技术领域，尤其涉及一种应用于半导体封装电磁防护制程中所使用的遮蔽胶料及其遮蔽制程。

背景技术

半导体封装完成后，为了避免晶片受到外界无线电射频干扰(radio frequencyinterference；RFI)或电磁干扰(electromagnetic interference；EMI)，会对该半导体封装施以电磁防护，电磁防护制程主要是在半导体封装的周围以溅镀法形成一金属薄膜，达成电磁防护的效果。

前述电磁防护制程在溅镀金属薄膜前，会先使用遮蔽材料对半导体封装底部(即IC载板面，IC Substrate)，无论是有锡球或无锡球，黏着于IC载板面后进行遮蔽，避免金属薄膜溅镀到半导体封装底部(IC载板面)，并在溅镀完成后，将遮蔽材料剥除。目前遮蔽材料使用的型态是胶带，但胶带容易有遮蔽不完全，且剥除后，容易在底部锡球四周或无锡球面残胶，影响贴着面(IC载板面)的品质。

发明内容

为了解决目前遮蔽使用的胶带遮蔽不完全且容易残胶，继而影响半导体封装品质的问题，本发明提供一种半导体封装遮蔽胶料，其包括：

脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；

异冰片基丙烯酸酯8～15wt％；

微球发泡剂9～20wt％；

光起始剂3～10wt％；以及

光固化胶20～25wt％。

其中，该微球发泡剂为具一核壳结构的球状塑胶颗粒，该核壳结构包含一外壳与一内核，该外壳为热塑性丙烯酸树脂类聚合物，该内核为烷烃类气体，粒径介于10～45微米。

其中，该光起始剂的种类包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE 500、IRGACURE 651、IRGACURE 369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE784、IRGACURE 819、IRGACURE 819DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE 2020、DAROCUR 1173、DAROCUR BP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。

其中，该半导体封装遮蔽胶料进一步包括一导电添加剂及/或一绝缘添加剂5wt％以下。该导电添加剂包括石墨、碳黑、碳纤维、奈米碳管、铜粉或镍粉；以及该绝缘添加剂包括氮化硼、碳化硅、氮化铝、氧化铝、氧化镁或氧化锌。

其中，该光固化胶为乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯类(EOEOEA)及其衍生或类似物。

本发明进一步提供一种半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其步骤包括：

将一半导体封装遮蔽胶料点胶或涂覆于一半导体封装的部分表面；

利用紫外光固化或热固化该半导体封装遮蔽胶料形成胶膜；

溅镀一金属层于该半导体封装未覆盖有该半导体封装遮蔽胶料的区域；

加热使该半导体封装遮蔽胶料发泡，使该半导体封装遮蔽胶料完全剥离于该半导体封装遮蔽部分的表面；其中：