[发明专利]快闪存储器干扰存储区位置的判定方法有效
申请号: | 201811197869.4 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109448774B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 干扰 存储 区位 判定 方法 | ||
1.一种快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,以快闪存储器的扇区为单位逐个扇区进行耐久力循环测试,在每次循环测试前后监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前耐久力循环测试扇区之外的其它扇区的行或列数据是否一致,若不一致,则判定相应扇区的行或列存储区存在干扰。
2.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述耐久力循环测试的步骤依次包括:
对快闪存储器的某一扇区进行擦除数据的操作;
对快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作;
对快闪存储器擦除数据对应的扇区进行写入数据的操作;
读取快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作。
3.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述耐久力循环测试的步骤依次包括:
对快闪存储器的某一扇区进行第一次擦除数据的操作;
对快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作;
对快闪存储器的第一次擦除数据对应的扇区进行写入第一数据的操作;
读取快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作;
对快闪存储器的写入第一数据对应的扇区进行第二次擦除数据的操作;
对快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作;
对快闪存储器的第二次擦除数据对应的扇区进行写入第二数据的操作;
读取快闪存储器的全阵列存储区进行读取数据的操作。
4.如权利要求2或3所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述在每次循环测试前后监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前测试扇区之外其它扇区的行或列数据是否一致的步骤包括:
在快闪存储器的某一扇区进行擦除数据的前后,监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前耐久力循环测试扇区之外的其它扇区的行或列数据是否一致,若不一致,则判定相应扇区的行或该列存储区存在干扰。
5.如权利要求2或3所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述在每次循环测试前后监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前测试扇区之外其它扇区的行或列数据是否一致的步骤包括:
在快闪存储器的某一扇区进行编程数据的前后,监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前耐久力循环测试扇区之外的其它扇区的行或列数据是否一致,若不一致,则判定相应扇区的行或该列存储区存在干扰。
6.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述以快闪存储器的扇区为单位逐个扇区进行耐久力循环测试的步骤包括:
对快闪存储器的某一扇区进行耐久力循环测试,直到快闪存储器的当前扇区达到耐久力循环测试的次数之后,结束对当前扇区的耐久力循环测试程序,执行下一扇区的耐久力循环测试程序,直到所有扇区的耐久力循环测试完成后结束。
7.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,在所述以快闪存储器的扇区为单位逐个扇区进行耐久力循环测试的步骤之前,还包括对快闪存储器的全阵列存储区进行初始化的步骤。
8.如权利要求7所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述对快闪存储器的全阵列存储区进行初始化的步骤包括:
对快闪存储器的全阵列存储区进行擦除数据的操作;
对快闪存储器的全阵列存储区进行读取擦除数据的操作;
对快闪存储器的全阵列存储区进行写入数据的操作;
读取快闪存储器的全阵列存储区进行读取写入数据的操作。
9.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述快闪存储器为镜像分裂栅快闪存储器。
10.如权利要求1所述的快闪存储器干扰存储区位置的判定方法,其特征在于,所述快闪存储器为纳米级的快闪存储器。
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