[发明专利]一种由射频开关控制的衰减器有效
申请号: | 201811197876.4 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109495084B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 戴若凡;任江川 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 开关 控制 衰减器 | ||
1.一种由射频开关控制的衰减器,包括:
控制模块,用于将数字控制信号D[(m-1):0]转换为衰减量对应的逻辑译码输出,并将该逻辑译码输出通过电平位移器转换为控制开关通断所需的控制电压;
电阻衰减模块,用于通过多级电阻衰减开关子电路在所述控制模块的电平位移器输出的开关控制电压控制下利用开关选择通过电阻衰减连接至下一级或直接连接至下一级,通过电阻时对应衰减;
电容衰减模块,用于通过多级开关电容衰减电路在所述开关控制电压的控制下通过选择开关导通无衰减直接连接至下一级或选择开关关断利用其关断电容实现电容衰减后接至下一级;
电阻衰减与电容衰减相连实现系统衰减。
2.如权利要求1所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:所述电阻衰减模块利用单刀双掷开关SPDT选择通过衰减电阻连接至下一级或直接无衰减连接至下一级。
3.如权利要求1所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:所述电容衰减模块利用单刀单掷开关SPST通过选择开关导通无衰减直接连接至下一级或选择开关关断利用其关断电容实现电容衰减后接至下一级。
4.如权利要求2所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:所述电阻衰减模块包括多个电阻衰减开关子电路20i,每个电阻衰减开关子电路包括一单刀双掷开关SWi和一电阻Ri,以在所述控制模块的电平位移器输出的开关控制电压的控制下由开关SWi选择通过电阻Ri连接至下一级或直接连接至下一级,通过电阻Ri时对应衰减,多个电阻衰减开关子电路级联实现输入射频信号RFin到输出射频信号RFout的衰减。
5.如权利要求4所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:i=1,2,3,输入射频信号RFin连接至所述单刀双掷开关SW1的公共端,单刀双掷开关SW1的第一输出端连接至电阻R1的一输入端,所述单刀双掷开关SW1的第二输出端连接至电阻R1的另一输入端和单刀双掷开关SW2的公共端,单刀双掷开关SW2的第一输出端连接至电阻R2的一输入端,单刀双掷开关SW2的第二输出端连接至电阻R2的另一输入端和单刀双掷开关SW3的公共端,单刀双掷开关SW3的第一输出端连接至电阻R3的一输入端,单刀双掷开关SW3的第二输出端连接至电阻R3的另一输入端,并连接至所述电容衰减模块,各单刀双掷开关的控制端连接所述电平位移器的输出端。
6.如权利要求5所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:所述电容衰减模块包括多个开关电容衰减电路30j,每个开关电容衰减电路30j包括负压控制电路NVGj、电平位移器LSj和单刀单掷开关SWj,用于在所述控制模块的数字译码电路的逻辑输出经电平位移器转为开关控制电压的控制下通过选择开关SWj导通无衰减直接连接至下一级或选择开关SWj关断利用其关断电容实现电容衰减后接至下一级。
7.如权利要求6所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:所述多个电阻衰减开关子电路20i和多个开关电容衰减电路30j级联实现输入射频信号RFin到输出射频信号RFout的衰减。
8.如权利要求7所述的一种由射频开关控制的衰减器,其特征在于:j=4,……,(N-1),N,单刀单掷开关SW4的一端连接所述电阻衰减模块,另一端连接至单刀单掷开关SW5的一端,……,单刀单掷开关SW(N-2)的另一端连接至单刀单掷开关SW(N-1)的一端,单刀单掷开关SW(N-1)的另一端连接至单刀单掷开关SWN的一端,单刀单掷开关SWN的另一端即为输出射频信号RFout,所述控制模块的数字译码电路的输出端连接至电平位移器LSj的输入端,电平位移器LSj的输出端连接至单刀单掷开关SWj的控制端,所述控制模块的模拟电路的输出端连接至负压控制电路NVGj的输入端,负压控制电路NVGj的输出端VSSC连接至电平位移器LSj的电源负端。
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