[发明专利]金属层间介质膜层的形成方法

权利要求书

1.一种金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述金属层间介质膜层的形成方法包括：

提供一晶圆，所述晶圆表面具有金属层，所述金属层具有深宽比为0.4～0.675的间隔；

在所述金属层上进行第一步沉积，所述第一步沉积的偏置射频的功率为2200W～2600W，所述第一步沉积采用的气体包括硅烷和氧气，所述第一步沉积形成的介质膜层的厚度为所需介质膜层厚度的60％～90％，所述第一步沉积在所述间隔中形成间隙；

在所述金属层上进行第二步沉积，所述第二步沉积的偏置射频的功率高于所述第一步沉积的偏置射频的功率在10％以内，所述第二步沉积采用的气体也包括硅烷和氧气，所述第二步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量均低于所述第一步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量在10％以上。

2.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述第一步沉积中的硅烷的气体流量为50sccm～70sccm，氧气的气体流量为110sccm～140sccm。

3.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述第一步沉积的沉积溅射比D/S为5.0～7.0，所述第二步沉积的沉积溅射比D/S为1.8～3.8。

4.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述第一步沉积形成的介质膜层的厚度为

5.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述第一步沉积和所述第二步沉积均还包括上部射频和侧部射频，上部射频的功率为1100W～1500W，侧部射频的功率为2800W～3500W。

6.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述第一步沉积和所述第二步沉积的介质膜层包括富硅氧化层。

7.根据权利要求1所述金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述金属层间介质膜层的形成方法还包括：在第二步沉积后对所述晶圆的表面进行化学机械研磨。