[发明专利]晶圆工艺条件的控制系统及控制方法

权利要求书

1.一种晶圆工艺条件的控制系统，用于化学气相沉积工艺中晶圆工艺条件的选择控制，其特征在于，包括：

采集模块，从数据库中采集所述晶圆对应的光罩透光率，所述晶圆为同一批次的多个表面积不同的晶圆；

处理模块，根据所述光罩透光率，并结合所述晶圆在反应炉中所处的位置，分析判断所述晶圆的工艺参数；

输出模块，对外输出所述晶圆的工艺参数。

2.如权利要求1所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，所述工艺参数包括时间和温度。

3.如权利要求2所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，在所述化学气相沉积工艺中，所述晶圆表面沉积薄膜的厚度与所述晶圆对应的光罩透光率呈线性负相关。

4.如权利要求3所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，所述处理模块从所述数据库中采集得到所有所述晶圆对应的光罩透光率，统计得到光罩透光率范围，对所述光罩透光率范围进行区间划分，并对不同区间的光罩透光率相对应的晶圆分别设置其工艺参数。

5.如权利要求4所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，所述处理模块从所述数据库中采集得到所述晶圆对应的光罩透光率，判断所述晶圆对应的光罩透光率的所属区间，并选择所述所属区间对应的工艺参数作为所述晶圆的工艺参数。

6.如权利要求5所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，若所述光罩透光率越大，则所述晶圆的化学沉积时间越长，或者所述晶圆的化学沉积温度越高。

7.如权利要求1或6所述的晶圆工艺条件的控制系统，其特征在于，若所述晶圆越靠近所述反应炉的顶端，则所述晶圆的化学沉积时间越长，或者所述晶圆的化学沉积温度越高。

8.一种晶圆工艺条件的控制方法，用于化学气相沉积工艺中同一批晶圆在反应炉内的工艺参数的选择控制，其特征在于，所述晶圆的工艺条件控制方法包括步骤：

采集同一批所述晶圆对应的光罩透光率信息，统计得到光罩透光率范围，同一批所述晶圆中的多个晶圆的表面积不同；

对所述光罩透光率范围进行区间划分，并对不同区间的光罩透光率相对应的晶圆分别设置其工艺参数；以及

针对每个所述晶圆，判断所述晶圆对应的光罩透光率的所属区间，并由此确定所述晶圆的工艺参数。

9.如权利要求8所述的晶圆工艺条件的控制方法，其特征在于，在所述化学气相沉积工艺中，所述晶圆表面沉积薄膜的厚度与所述晶圆对应的光罩透光率呈线性负相关，若所述光罩透光率越大，则所述晶圆的化学沉积时间越长，或者所述晶圆的化学沉积温度越高。

10.如权利要求9所述的晶圆工艺条件的控制方法，其特征在于，所述晶圆的工艺条件控制方法还包括步骤：

结合所述晶圆在反应炉中所处的位置对所述晶圆的工艺参数进行调整，若所述晶圆越靠近所述反应炉的顶端，则所述晶圆的化学沉积时间越长，或者所述晶圆的化学沉积温度越高。