[发明专利]一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，包括一半导体衬底以及一位于所述半导体衬底上表面的沟道，其特征在于，所述半导体衬底还包括：

一栅极，所述栅极位于所述沟道上；

一源区，所述源区位于所述沟道旁，所述源区包括一重掺杂源区，从所述重掺杂源区引出源极；

一漏区，所述漏区位于所述沟道旁，所述漏区包括一重掺杂漏区，从所述重掺杂漏区引出漏极，所述重掺杂漏区与所述栅极通过一第三隔离槽隔离；

一第一基极，所述第一基极包括一第一重掺杂基极区，所述第一基极与所述源区通过一第一隔离槽隔离；

一第二基极，所述第二基极包括一第二重掺杂基极区，所述第二基极与所述漏区通过一第二隔离槽隔离；

一埋氧层，所述埋氧层位于所述源区、所述沟道和所述漏区的下方，所述埋氧层位于所述第一隔离槽和所述第一隔离槽之间；

一第一绝缘场板，所述第一绝缘场板位于所述埋氧层的下方，所述第一绝缘场板位于所述第一隔离槽靠近所述第二隔离槽的一侧；

一第二绝缘场板，所述第二绝缘场板位于所述埋氧层的下方，所述第二绝缘场板位于所述第二隔离槽靠近所述第一隔离槽的一侧，所述第二绝缘场板与所述第一绝缘场板相邻；

一第一高压阱区域，所述第一高压阱区域位于所述第一基极、所述一隔离槽和所述第一绝缘场板的下方；

一第二高压阱区域，所述第二高压阱区域位于所述第二基极、所述第二隔离槽和所述第二绝缘场板的下方。

2.根据权利要求1所述的阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述源区还包括一轻掺杂源区，所述轻掺杂源区紧挨所述沟道，所述轻掺杂源区将所述重掺杂源区分别与所述沟道和所述埋氧层隔离。

3.根据权利要求1所述的阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述漏区还包括一轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区紧挨所述沟道，所述轻掺杂漏区将所述重掺杂漏区与所述埋氧层隔离，所述轻掺杂漏区将所述第三隔离槽分别与所述沟道和所述埋氧层隔离。

4.根据权利要求1所述的阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一高压阱区域为高压P阱，所述第二高压阱区域为高压N阱。

5.一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，提供一半导体衬底，包括以下步骤：

步骤S1、形成一第一高压阱区域和一第二高压阱区域，所述第一高压阱区域和所述第二高压阱区域位于所述半导体衬底的上方；

步骤S2、形成一第一隔离槽和一第二隔离槽，所述第一隔离槽位于所述第一高压阱区域，所述第二隔离槽位于所述第二高压阱区域；

步骤S3、形成一第一绝缘场板和一第二绝缘场板，所述第一绝缘场板位于所述第一高压阱区域，所述第二绝缘场板位于所述第二高压阱区域，所述第一绝缘场板和所述第二绝缘场板位于所述第一隔离槽与所述第二隔离槽之间；

步骤S4、形成一埋氧层，所述埋氧层位于所述第一绝缘场板和所述第二绝缘场板的上方，且所述埋氧层位于所述第一隔离槽与所述第二隔离槽之间；

步骤S5、形成一沟道，所述沟道位于所述埋氧层的上方，且所述沟道位于所述第一隔离槽与所述第二隔离槽之间；

步骤S6、形成一栅极，所述栅极位于所述沟道的上方；

步骤S7、形成一源区、一漏区、一第一基极和一第二基极，所述源区位于所述第一高压阱区域且位于所述沟道旁，所述漏区位于所述第二高压阱区域且位于所述沟道旁，所述第一基极位于所述第一高压阱区域且与所述源区通过所述第一隔离槽隔离，所述第二基极位于所述第二高压阱区域且与所述漏区通过所述第二隔离槽隔离；

步骤S8、形成一第三隔离槽，所述第三隔离槽将所述漏区与所述栅极隔离。

6.根据权利要求5所述的阈值可调式高压金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，形成所述第一高压阱区域和所述第二高压阱区域的方法为离子注入。

7.根据权利要求5所述的阈值可调式高压金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一隔离槽、所述第二隔离槽和所述第三隔离槽的方法为浅槽隔离方法。