[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：

提供一基板，及形成一栅极在所述基板上；

形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上，及形成一非晶硅层在所述栅极绝缘层上；

对所述非晶硅层进行晶化，以形成一多晶硅层；

涂布一光阻于所述多晶硅层上，曝光以图案化所述光阻，及对所述多晶硅层进行刻蚀；

移除所述光阻的两端使其分别内缩一距离，并对所述光阻的两端所述多晶硅层暴露的部分进行一乙硼烷处理，所述多晶硅层的两端分别形成一源极区与一漏极区，使得沟道避开了结晶不完全区域；及移除所述光阻，沉积一层间介电层于所述多晶硅层及所述栅极绝缘层上，并在所述源极区的上方形成一源极穿孔、在所述漏极区上方形成一漏极穿孔、沉积一源极于所述源极穿孔内及所述层间介电层上以及沉积一漏极于所述漏极穿孔内及所述层间介电层上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述栅极是通过一物理气相沉积工艺，沉积钼/铝材质所形成。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层是通过一化学气相沉积工艺，沉积一氮化硅所形成。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行晶化的步骤是通过一激光退火工艺来进行。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述移除所述光阻的两端的步骤是通过一灰阶掩膜工艺来进行。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，在所述移除所述光阻的两端的步骤中，所述光阻内缩1-5微米。

7.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，其包含：

一基板；

一栅极，设于所述基板上；

一栅极绝缘层，设于所述栅极及所述基板上；

一多晶硅层，设于所述栅极绝缘层上，其中所述多晶硅层的两端分别设有一源极区与一漏极区；及

一层间介电层，设于所述多晶硅层及所述栅极绝缘层上，所述层间介电层包含位在所述源极区上方的一源极穿孔、位于所述漏极区上方的一漏极穿孔、位于所述源极穿孔内及所述层间介电层上的一源极以及位于所述漏极穿孔内及所述层间介电层上的一漏极。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述栅极、所述源极及所述漏极采用钼/铝结构。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极区与所述漏极区的宽度在1-5微米之间。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述层间介电层的材质是一氮化硅。