[发明专利]一种波导H-T结及毫米波波导平面功率分配合成网络

权利要求书

1.一种波导H-T结，包括三个标准矩形波导管，其中，第二波导管与第三波导管位于同一直线上，第一波导管与第二、第三波导管相垂直；其特征在于，还包括波导匹配结构，所述波导匹配结构包括设于波导腔内的阶梯结构以及位于第一波导管末端处的收窄结构；所述阶梯结构正对第一波导管，所述阶梯结构在竖直方向上贯穿整个波导腔，所述阶梯结构与波导腔的侧壁不相接触，所述阶梯结构由叠置的下方长方体金属块和上方长方体金属块组成，上方长方体金属块的尺寸小于下方长方体金属块的尺寸；所述收窄结构为位于第一波导管末端交接面两窄边处的竖向金属柱。

2.一种毫米波波导平面功率分配合成网络，包括波导功率分配器和波导功率合成器；其特征在于，所述波导功率分配器和波导功率合成器均以腔体形式集成在同一个装置本体中，波导功率分配器和波导功率合成器均为二进制树形级联结构；所述二进制树形级联结构以如权利要求1所述的波导H-T结为基本单元，且下一级波导H-T结的第一波导管通过直波导与上一级波导H-T结的第二或第三波导管连接；两个二进制树形级联结构的首级波导H-T结的第一波导管的朝向相反，两个二进制树形级联结构的分布区域彼此平行，两个二进制树形级联结构的级数相同；两个二进制树形级联结构的所有末级波导管均通过波导E面90°阶梯过渡弯角导向同一方向，并通过直波导开口于所述装置本体的同一个外表面上；两个二进制树形级联结构中，一者的首级波导H-T结的第一波导管通过第一波导结构开口于所述装置本体的一侧表面上，另一者的首级波导H-T结的第一波导管通过第二波导结构开口于所述装置本体的对侧表面上。

3.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述第一波导结构为直波导，所述第二波导结构由直波导和两个波导E面90°阶梯过渡弯角组成。

4.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述波导功率合成器的波导尺寸小于所述波导功率分配器的波导尺寸。

5.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述二进制树形级联结构为2、3、4或5级级联。

6.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述波导功率分配器中，至少有一个波导H-T结的两个侧向支臂长度不等，从而使输出波导具有90°相位差；所述波导功率合成器的对应波导H-T结的两个侧向支臂长度不等，从而消除波导功率分配器所产生的相位差。

7.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述装置本体包括上、中、下三块层板，三块层板之间通过螺钉紧固连接，所述上层板的下表面具有第一上型面，所述中层板的上表面具有第一下型面，所述中层板的下表面具有第二上型面，所述下层板的上表面具有第二下型面，所述第一上型面和第一下型面构成第一型腔，所述第二上型面和第二下型面构成第二型腔，所述波导功率分配器和波导功率合成器分别包含于第一型腔和第二型腔中。

8.根据权利要求2所述的毫米波波导平面功率分配合成网络，其特征在于，所述波导功率分配器的所有末级波导管所对应的开口与所述波导功率合成器的所有末级波导管所对应的开口均分散地分布于所述装置本体的相应外表面上；根据两组开口之间的对应关系，彼此对应的两个开口临近分布。