[发明专利]一种利用引入晶界强化和位错强化参数的纳米压痕幂律模型的拟合方法有效

专利信息
申请号: 201811198779.7 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN111062107B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 韩永典;高宇;徐连勇;赵雷;荆洪阳 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 引入 强化 参数 纳米 压痕 模型 拟合 方法
【权利要求书】:

1.一种利用引入晶界强化和位错强化参数的纳米压痕幂律模型拟合求出应力指数和材料常数的方法,其特征在于,通过稳态蠕变应变率和施加应力的双对数关系公式进行拟合求出应力指数n和材料常数α,双对数关系公式如下:

其中引入晶界强化和位错强化参数的纳米压痕幂律模型

上述模型的公式通过将晶界强化σgb和位错强化σdis引入纳米压痕幂律模型公式中得到:

其中,纳米压痕幂律模型表示为:

是稳态蠕变应变率,单位为s-1;σ是施加应力,单位为MPa;n是应力指数,无单位;α是材料参数,单位为s-1·MPa-n

其中,晶界强化σgb通过Hall-Petch公式表征:

K是Hall-Petch参数,单位为d是平均晶粒尺寸,单位为μm,从EBSD中获得;

其中,位错强化σdis通过Bailey-Hirsch-Taylor公式表征:

β和M是材料常数,无单位;G为剪切模量,单位为GPa;b为伯氏矢量,单位为nm;θ为位错取向,单位为°;μ为单位长度,单位为nm。

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