[发明专利]一种掩模板、晶圆、晶粒以及等离子刻蚀裂片的方法

权利要求书

1.一种等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述等离子刻蚀裂片的方法包括以下步骤：

在待裂片的晶圆的正面形成牺牲层，所述晶圆包括多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割道，所述切割道包括交叉位置和非交叉位置，所述交叉位置位于相邻四个晶粒之间，且与相邻的所述非交叉位置连接，所述晶粒和切割道的交叉位置均具有缺角，每个所述缺角对应的图形呈直角三角形状，所述缺角是三角形的斜边，所述直角三角形状的两个直角边的边长相等；

对形成牺牲层的待裂片的所述晶圆的所述切割道的交叉位置进行第一次等离子刻蚀，形成第一沟槽的孔洞部分，并在牺牲层上形成有机物，使得孔洞中填满所述有机物；

在所述有机物上形成掩模层，并图形化所述掩模层，以形成切割道的非交叉位置的掩模图案，对所述切割道的非交叉位置进行第一次等离子刻蚀，并进一步的对所述非交叉位置进行部分的第二次等离子刻蚀，形成第一沟槽的剩余部分，所述第一沟槽的剩余部分的深度深于第一沟槽的孔洞部分的深度；

清除所述掩模层和有机物；以及

以所述牺牲层为硬掩模，对所述第一次等离子刻蚀后的待裂片晶圆的切割道上进行第二次等离子刻蚀，形成第二沟槽。

2.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述晶圆由下至上依次包括衬底和层间介质层，所述第一次等离子刻蚀为层间介质层刻蚀。

3.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述第一沟槽的剩余部分的深度较第一沟槽的孔洞部分的深度深1μm~20μm。

4.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述第二次等离子刻蚀为衬底刻蚀。

5.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度为120μm ~170μm。

6.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。

7.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，还包括在所述第二次等离子刻蚀后，对待裂片晶圆进行探针测试，以及在探针测试之后的对待裂片晶圆的背面进行研磨工艺，以分离各晶粒。

8.如权利要求1所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述等离子刻蚀裂片的方法采用刻蚀在研磨之前的工艺顺序。

9.一种等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述等离子刻蚀裂片的方法包括以下步骤：

在待裂片的晶圆的正面形成牺牲层，所述晶圆包括多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割道，所述切割道包括交叉位置和非交叉位置，所述交叉位置位于相邻四个晶粒之间，且与相邻的所述非交叉位置连接，所述晶粒和切割道的交叉位置均具有缺角，每个所述缺角对应的图形呈直角三角形状，所述缺角是三角形的斜边，所述直角三角形状的两个直角边的边长相等；

对形成牺牲层的待裂片的所述晶圆的所述切割道的非交叉位置进行第一次等离子刻蚀，并进一步的对所述非交叉位置进行部分的第二次等离子刻蚀，形成第一沟槽的剩余部分，并在牺牲层上形成有机物；

在所述有机物上形成掩模层，并图形化所述掩模层，以形成切割道的交叉位置的掩模图案，对所述切割道的交叉位置进行第一次等离子刻蚀，形成第一沟槽的孔洞部分，所述第一沟槽的剩余部分的深度深于第一沟槽的孔洞部分的深度；清除所述掩模层和有机物；以及

以所述牺牲层为硬掩模，对所述第一次等离子刻蚀后的待裂片晶圆的切割道上进行第二次等离子刻蚀，形成第二沟槽。

10.如权利要求9所述的等离子刻蚀裂片的方法，其特征在于，所述第一沟槽的剩余部分的深度较第一沟槽的孔洞部分的深度深1μm~20μm。

11.一种晶粒，其特征在于，采用如权利要求1至10中任意一项中的所述等离子刻蚀裂片的方法对所述晶圆裂片而成的。

12.如权利要求11所述的晶粒，其特征在于，所述晶粒的横截面为具有缺角的方形。