[发明专利]一种离型膜的制备方法及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201811199280.8 申请日: 2016-12-25
公开(公告)号: CN109306158B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 林端娜;代志连;洪伟玲;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 金福珍
主分类号: C08L67/02 分类号: C08L67/02;C08K13/06;C08K9/00;C08K3/36;C08K5/09;C08K5/098;C08K5/134;B29D7/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 离型膜 制备 方法 及其 使用方法
【说明书】:

发明公开了一种离型膜的制备方法及其使用方法,属于离型膜制备技术领域。本发明先将正硅酸乙酯与无水乙醇、盐酸溶液混合加热制得混合溶胶液,随后将去离子水、三氟乙酸、异丙醇等混合静置,收集混合液与混合溶胶液加热并旋蒸至干,再收集所得干燥结晶球磨过筛后与对苯二甲酸乙二醇酯、抗氧剂1010混磨、密炼处理,收集密炼所得熔融料进行热压及退火处理,最后自然冷却即可得一种稳定高粘着率离型膜,本发明制得的离型膜具有良好的柔软性、弹性及离型稳定性,同时在长期高温环境下,仍能保持较好的强度,不易出现离型层残留情况,具有较好的使用前景和市场推广价值。

技术领域

本发明公开了一种离型膜的制备方法及其使用方法,属于离型膜制备技术领域。

背景技术

随着人类文明发展及科学技术的进步,越来越多的电子产品被用于社会的各个领域,而国外电子工业向我国的战略转移以及国内通信与电子产业的迅猛发展,推动半导体行业及环氧覆铜板行业进入黄金发展时期,同时也将带动其附带产业链的迅速发展。在制造印刷电路板、陶瓷电子部件、热固性树脂制品、装饰板等时,离型膜往往在工序中被夹入金属板之间,或树脂之间来使用,以避免金属板之间或树脂之间的粘结。

离型膜又叫脱模膜,是指表面具有分离性的薄膜,离型膜与特定的材料在有限的条件下接触后不具有粘性,或具有轻微的粘性。通常情况下为了增加塑料薄膜的离型力,会将塑料薄膜做等离子处理,或涂氟处理,或涂有机硅离型剂于薄膜材质的表层上,如PET、PE、OPP等等,让它对于各种不同的有机压感胶,如热融胶、亚克力胶和橡胶系的压感胶等,可以表现出极轻的离型力。但是,现有的离型膜往往存在长期耐高温性能差,高温尺寸稳定性差,同时离型稳定性不佳,易出现离型层残留,破坏基材外观的问题,因此,寻求一种具有优良的离型稳定性,离型层不残留,可长期耐高温,外观无瑕且具有低成本、高经济效益的离型膜迫在眉睫。

发明内容

本发明主要解决的技术问题:针对现有的离型膜长期耐高温性能差,高温尺寸稳定性差,同时离型稳定性不佳,易出现离型层残留,破坏基材外观的缺陷,提供了一种通过二氧化硅溶胶复合三氟乙酸,使其在晶核醋酸钙颗粒表面生长并形成结晶体,通过含氟结晶负载至聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜中,通过加热退火使氟原子改性薄膜,降低薄膜表面能,同时在升温加热过程中,氟化物经热解后持续改性薄膜表面能,有效增强离型膜高温稳定性的方法,本发明先将正硅酸乙酯与无水乙醇、盐酸溶液混合加热制得混合溶胶液,随后将去离子水、三氟乙酸、异丙醇等混合静置,收集混合液与混合溶胶液加热并旋蒸至干,再收集所得干燥结晶球磨过筛后与对苯二甲酸乙二醇酯、抗氧剂1010混磨、密炼处理,收集密炼所得熔融料进行热压及退火处理,最后自然冷却即可得一种稳定高粘着率离型膜,本发明制得的离型膜具有良好的柔软性、弹性及离型稳定性,同时在长期高温环境下,仍能保持较好的强度,不易出现离型层残留情况,具有较好的使用前景和市场推广价值。

为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:

(1)选取50~60mL正硅酸乙酯和180~200mL无水乙醇置于烧杯中,搅拌混合并在65~70℃下水浴加热25~30min,随后对烧杯中滴加300~400mL质量分数0.5%盐酸溶液,保温加热3~5h,制备得混合溶胶液;

(2)按重量份数计,分别称量45~50份去离子水、10~15份三氟乙酸、5~10份醋酸钙、35~40份异丙醇和45~50份无水乙醇置于烧杯中,搅拌混合并静置2~3h,收集得混合液,随后按体积比1:5,将混合液与上述制备的混合溶胶液搅拌混合,在65~70℃下水浴加热2~3h后,再在45~50℃下旋转蒸发至干,收集得干燥结晶;

(3)将上述制备的干燥结晶置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~5h,随后过100~120目筛,收集得球磨结晶粉末,随后按重量份数计,分别称量45~50份聚对苯二甲酸乙二醇酯、5~10份结晶粉末和0.3~0.5份抗氧剂1010置于高速搅拌机中,在2500~3000r/min下球磨25~30min,收集得混合料并置于密炼机中,在250~255℃下密炼处理10~15min;

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