[发明专利]一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块在审
| 申请号： | 201811200060.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109391150A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郑树义;沈毅 | 申请（专利权）人： | 西安霍威电源有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制芯片 输出模块 高功率 纳秒级 上升沿 方波 两级 输出 拓扑 恒流保护电路 内部振荡电路 欠压保护电路 线性拓扑结构 肖特基二级管 模块小型化 软启动电路 最大占空比 单端反激 功能保护 功能实现 技术基础 检流电阻 控制电路 模式电路 内部芯片 拓扑结构 限制电路 线性电路 芯片功能 整机效率 减小 轻载 预制 电路 标准化 外围 | ||
1.一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，其内设输入欠压保护电路、输出预制采样电阻及控制芯片，采用两级驱动进行功率MOS驱动，采用光耦调节三级管信号强度，采用4个功率MOS斩波进行四路输出，且通过四个驱动源分别控制；所述控制芯片用于双路驱动大电流输出，其内部驱动上升沿时间达到35ns，驱动上升沿为14ns，使得驱动上升沿理论值达到49ns；
所述输入欠压保护电路通过输出电压取样R15、R6、R7、U1基准2脚FB端对输入取样进行比较，并将比较出的误差电压信号转换为驱动信号，驱动三极管Q2，使信号1点呈现高低电平，实现欠压控制；通过D9的稳压管稳定三级管基级电压，实现发射级与低之间的稳压状态。
2.根据权利要求1所述的一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，所述电源采用SMT表面贴装技术，外壳为铝合金外壳，内部实体填充导热胶；电源外形尺寸为85×28×7mm3。
3.根据权利要求1所述的一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，所述控制芯片采用UCC27323及UCC27324。
4.根据权利要求1所述的一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，所述输出模块内部电阻均选用低温漂、高精度的电阻，电容采用低温漂、高精度的电容，工作温度范围-55℃--150℃；所述电源采样电阻均选用低温漂、高精度的电阻。
5.根据权利要求1所述的一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，所述电源中的电容均为防浪涌电容，采用大容量瓷介电容器；所述电源开关管采用IRFR5305，所述电源整流管为高压线性MOS管，型号为STD7NM80；所述电源三极管为线性晶体管。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块，其特征在于，所述电源采用插针式安装方式，通过螺钉进行拆装。
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