[发明专利]一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料及其制备方法在审
申请号: | 201811200454.8 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109261168A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 曹丽云;杨丹;冯亮亮;黄剑锋;刘倩倩;王琳琳 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | B01J27/043 | 分类号: | B01J27/043;C25B1/04;C25B11/06 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 刘华 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修饰 纳米棒阵列电极 溶剂热反应 钒酸钠 自组装 钒源 硫源 制备 二乙基硫代氨基甲酸钠 催化活性位点 乙酰丙酮氧钒 块状催化剂 硫代乙酰胺 纳米棒结构 五氧化二钒 氧电催化剂 表面形貌 次级单元 电极材料 纳米棒状 偏钒酸钠 偏钒酸铵 电催化 氟化铵 金属镍 硫单质 硫化钠 悬浊液 电阻 鳞状 硫脲 水合 煅烧 浸泡 | ||
1.一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料,其特征在于,所述钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列具有颗粒自组装成的鳞状的表面。
2.一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将金属镍浸泡在含有钒源、硫源、氟化铵的悬浊液中,进行溶剂热反应;然后,将溶剂热反应产物进行真空煅烧,得到纳米棒状的钒修饰的Ni3S2电极材料。
3.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述的钒源为乙酰丙酮氧钒、偏钒酸钠、钒酸钠、十二水合钒酸钠、偏钒酸铵、及五氧化二钒中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述的硫源为硫脲、硫代乙酰胺、硫化钠、二乙基硫代氨基甲酸钠、及硫单质中的一种或几种。
5.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述钒源与硫源摩尔比为1:(1~6);所述悬浊液中钒源浓度为2~20 mM。
6.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述的溶剂热反应,反应温度为50~200 ℃,反应时间为0.5~40 h。
7.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述的真空煅烧,煅烧温度是300~700 ℃,煅烧时间为0.5~4 h。
8.根据权利要求2所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,所述悬浊液的溶剂为乙二胺、无水乙醇、甲醇、或乙二醇中的一种或几种。
9.根据权利要求2~8任一项所述的一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
1)将金属镍依次浸入到丙酮、盐酸以及水和乙醇中超声清洗,随后真空干燥,盐酸浓度为1~5 mol/L;
2)将一定量的钒源、硫源溶解于一定体积的溶剂中,钒源与硫源摩尔比为1:(1~6),使得的钒源浓度为2~20 mM,搅拌3~60 min,得到悬浊液A;
3)在悬浊A中加入表面活性剂用量的氟化铵,搅拌1~2 h,得到溶液B;
4)将搅拌好的溶液B以及步骤1)中处理好的金属镍,装入高压反应釜中,然后置于烘箱中进行溶剂热反应;
5)待反应结束后,将反应釜在室温下进行冷却,产物用去离子水和乙醇冲洗数次,然后进行真空干燥;
6)产物在真空状态下管式炉中进行煅烧,得到纳米棒状的钒修饰的Ni3S2电极材料。
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