[发明专利]一种高介电X8R陶瓷介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811200578.6 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109081693B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张永刚;张永强 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/495 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 张彩琴;李晓娟 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 x8r 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，是由重量百分比为5-20%的Sc2O3和重量百分比80-95%的K2Sr4Nb6O20组成的；
所述的高介电X8R陶瓷介质材料的制备方法，包括以下步骤：
（1）将原料K2CO3、SrCO3和Nb2O5按通式K2Sr4Nb6O20，进行配料球磨，升温至1100℃，保温2-4小时，制得熔块A；
（2）按照质量百分比将5-20%的Sc2O3和80-95%的熔块A进行二次配料，获得配料B；
（3）将配料B球磨，加入为配料B的5-8wt％的黏合剂造粒，压制成生坯，升温至400-500℃再升温至1220℃-1250℃保温1小时，冷却后制得高介电X8R陶瓷介质材料。
2.根据权利要求1所述的一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，所述步骤（1）中，升温至1100℃的升温速率为5-10℃/min。
3.根据权利要求2所述的一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，所述步骤（1）中，升温至1100℃的升温速率为7℃/min。
4.根据权利要求1所述的一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，所述步骤（3）中，是按2℃/min的升温速率加热至400-500℃，再按10℃/min的升温速率加热至1220℃-1250℃。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，所述黏合剂为聚乙烯醇或石蜡。
6.根据权利要求5所述的一种高介电X8R陶瓷介质材料，其特征在于，所述步骤（1）和（3）的球磨后的物料需过120-250孔/cm2分样筛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学，未经太原理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811200578.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
