[发明专利]一种推挽式ICPT自激起振控制电路及其设计方法

权利要求书

1.一种推挽式ICPT自激起振控制电路，所述推挽式ICPT包括逆变变换器(2)和谐振网络(3)，其特征在于：所述推挽式ICPT自激起振控制电路包括驱动控制电路(1)和起振电路(4)；所述逆变变换器(2)包括MOSFET开关管Q1、MOSFET开关管Q2、电感L1、电感L2、电感L3、电阻R2和电阻R5，所述电感L2和电感L3串联后的一端与MOSFET开关管Q1的漏极连接，所述电感L2和电感L3串联后的另一端与MOSFET开关管Q2的漏极连接，所述电感L1的一端与电感L2和电感L3的连接端连接，所述电感L1的另一端为逆变变换器(2)的输入端Vi，所述电阻R5接在MOSFET开关管Q1的栅极与源极之间，所述电阻R2接在MOSFET开关管Q2的栅极与源极之间；所述谐振网络(3)包括并联的电容C2和耦合变压器电感L4，所述电容C2和耦合变压器电感L4并联后的一端与MOSFET开关管Q1的漏极连接，所述电容C2和耦合变压器电感L4并联后的另一端与MOSFET开关管Q2的漏极连接；

所述驱动控制电路(1)包括比较器U1、比较器U2、电源驱动芯片TPS2812、二极管D1和二极管D2，以及电阻R3、电阻R4、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19和电阻R20；所述电阻R9的一端与MOSFET开关管Q2的漏极连接，所述电阻R14的一端与MOSFET开关管Q1的漏极连接，所述电阻R9的另一端通过电阻R8接地，所述电阻R14的另一端通过电阻R16接地，所述二极管D1的阳极和二极管D2的阴极均与电阻R9和电阻R8的连接端连接，所述二极管D1的阴极和二极管D2的阳极均与电阻R14和电阻R16的连接端连接，所述电阻R10的一端和电阻R18的一端均与电阻R8和电阻R9的连接端连接，所述电阻R13的一端和电阻R17的一端均与电阻R14和电阻R16的连接端连接，所述比较器U1的反相输入端与电阻R10的另一端连接，所述比较器U1的同相输入端与电阻R13的另一端连接，所述比较器U2的反相输入端与电阻R17的另一端连接，所述比较器U2的同相输入端与电阻R18的另一端连接，所述电阻R7接在比较器U1的负电压供电VEE和反相输入端之间，所述电阻R20接在比较器U2的负电压供电VEE和反相输入端之间，所述电阻11接在比较器U1的正电压供电VCC和输出端之间，所述电阻19接在比较器U2的正电压供电VCC和输出端之间，所述电源驱动芯片TPS2812的第2引脚与比较器U2输出端连接，所述电源驱动芯片TPS2812的第3引脚接地,所述电源驱动芯片TPS2812的第4引脚与比较器U1输出端连接，所述电源驱动芯片TPS2812的第7引脚通过电阻R3与MOSFET开关管Q1的栅极连接，所述电源驱动芯片TPS2812的第5引脚通过电阻R4与MOSFET开关管Q2的栅极连接；

所述起振电路(4)包括MOSFET开关管Q3、电阻R6、电阻12、电阻15、晶闸管Q4、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6和二极管D7，所述MOSFET开关管Q3的漏极与MOSFET开关管Q1的漏极连接，所述MOSFET开关管Q3的源极通过电阻R15接地，所述MOSFET开关管Q3的栅极与二极管D7的阴极连接，所述二极管D7的阳极通过电阻R6与外部电源的输出端VCC连接，所述电阻R12接在MOSFET开关管Q3的栅极与源极之间，所述晶闸管Q4的阳极与二极管D7的阳极连接，所述晶闸管Q4的阴极接地，所述晶闸管Q4的门极与MOSFET开关管Q3的源极连接，所述二极管D3和二极管D4串联后的阳极与晶闸管Q4的阳极连接，所述二极管D3和二极管D4串联后的阴极与比较器U2的反相输入端连接，所述二极管D5和二极管D6串联后的阳极与晶闸管Q4的阳极连接，所述二极管D5和二极管D6串联后的阴极与比较器U1的反相输入端连接。

2.按照权利要求1所述的一种推挽式ICPT自激起振控制电路，其特征在于：所述MOSFET开关管Q1、MOSFET开关管Q2和MOSFET开关管Q3的型号均为IRF640。

3.按照权利要求1所述的一种推挽式ICPT自激起振控制电路，其特征在于：所述晶闸管Q4的型号为MCR100-6。