[发明专利]掩模清洁设备和清洁掩模的方法有效
申请号: | 201811201628.2 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109669322B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李成洙;朴贞英;朴性范;姜丙喆 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 设备 方法 | ||
公开了一种清洁光掩模的方法。该方法包括在光掩模停止的状态下在光掩模的整个表面上润湿化学品的预处理操作,以及在其中光掩模旋转的状态下将化学品供应到光掩模的图案区域的清洁操作。
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及一种光掩模清洁设备和一种用于清洁光 掩模的方法,更具体地,涉及一种通过供应化学品来清洁光掩模的设备和方法。
背景技术
通过在石英或玻璃基板上形成半导体的精细电路来获得光掩模,并且例如 通过使用施加在透明石英基板的上层上的铬薄膜,通过以为其实际尺寸的1倍 至5倍的尺寸蚀刻半导体集成电路和LCD图案来获得光掩模。通过光刻工艺在 基板上形成光掩模的精细图案。光刻工艺是指在基板上均匀地施加光致抗蚀剂, 通过使用诸如步进器的曝光设备在光致抗蚀剂上减少、投射和曝光图案,以及 通过显影工艺形成二维光致抗蚀剂图案的所有工艺。
执行清洁工艺以从光掩模中去除由各种条件引起的污染物。在光掩模清洁 工艺中,通过使掩模旋转将化学品施加到掩模的整个表面,同时将化学品(硫 酸过氧化物混合物:SPM)喷射到掩模的中心或掩模的接近中心的一部分,并 且所施加的化学品去除基板上的污染物。此时,在化学品被排出的时刻,在化 学品所排至的掩模的一部分处产生静电,从而可能由于电弧放电而损坏图案。
更详细地,当化学品快速流过掩模时,在化学品喷射孔的周边产生静电。 由于掩模的结构,所产生的静电受到金属图案的限制,并且当由于累积的静电 产生电弧放电时金属图案被损坏。如图10所示,电弧放电主要在最初喷射化学 品的点(图10的中心圆圈)处产生,并且由于电弧放电而变形的金属图案在曝 光工艺中引起故障。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种光掩模清洁设备和一种用于清洁光掩模的 方法,通过该方法可以在清洁工艺中防止由于电弧放电引起的对金属图案的损 坏。
本发明构思的技术目的不限于上述技术目的,并且从以下描述中,其他未 提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种用于清洁光掩模的方法,该方法 包括在停止光掩模的状态下在光掩模的整个表面上润湿化学品的预处理操作, 以及在使光掩模旋转的状态下将化学品供应到光掩模的图案区域的清洁操作。
在预处理操作中,可以将化学品供应到光掩模的非图案区域。
预处理操作可以包括将喷嘴移动到光掩模的非图案区域,以及从位于非图 案区域中的喷嘴排出化学品,并且化学品可以在非图案排出区域中排出,直到 光掩模的整个表面都被化学品润湿。
清洁操作可以包括将喷嘴从非图案区域移动到图案区域的中心,并且从移 动到图案区域的中心的喷嘴排出化学品。
预处理操作可以包括将喷嘴移动到光掩模的非图案区域,以及从位于非图 案区域中的喷嘴排出化学品,喷嘴可以在从非图案区域移动到图案区域的中心 时排出化学品。
化学品可以是硫酸和过氧化物的混合液。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种光掩模清洁设备,包括:支撑板, 所述支撑板被配置为支撑光掩模;支撑板驱动器,所述支撑板驱动器被配置为 使支撑板旋转;喷嘴,所述喷嘴被配置为将化学品喷射到位于支撑板上的光掩 模上;喷嘴驱动器,所述喷嘴驱动器被配置成驱动喷嘴;以及控制器,所述控 制器被配置成控制所述支撑板驱动器和所述喷嘴驱动器,并且在执行清洁工艺 期间使喷嘴停止的状态下,所述控制器控制喷嘴驱动器使得喷嘴开始在光掩模 的非图案区域中供应化学品。
控制器可以控制喷嘴驱动器将喷嘴移动到光掩模的图案区域的中心,并且 在光掩模的整个表面被从喷嘴喷射的化学品润湿之后喷射化学品。
控制器可以控制支撑板驱动器从喷嘴在图案区域的中心喷射化学品时使光 掩模旋转。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811201628.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。