[发明专利]一种硅片位置信息采集系统以及方法有效

专利信息
申请号: 201811202376.5 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109300816B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 夏子奂;连超;曹炼生;王秋瑾 申请(专利权)人: 上海集迦电子科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201206 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 位置 信息 采集 系统 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种硅片位置信息采集系统,包括硅片位置信息采集装置(1),其特征在于,所述硅片位置信息采集装置(1)包括装置基板(11)、分布在所述装置基板(11)设置的多个测量模块(12)、在所述装置基板(11)设置的采集模块(13),所述测量模块(12)用于测量硅片位置信息,所述采集模块(13)用于采集所述硅片位置信息,所述多个测量模块(12)通过多个导线(14)连接所述采集模块(13),其中,所述测量模块(12)为位置传感器,其中,

所述硅片位置信息采集系统还包括集成在所述硅片位置信息采集装置(1)上的硅片,所述硅片位置信息采集装置(1)与所述硅片构成集成硅片,还包括机械手(26),所述机械手用于移动所述集成硅片,所述机械手连接处理模块(22),其中,在无法与外界通讯的特定情况下,所述硅片位置信息采集装置(1)通过机械手遍历聚焦环(24)内每个位置,信息采集和储存完毕后移出工作腔,连接上位机传输和处理硅片位置信息,完成硅片定位,其中,

所述特定情况至少包括如下两种情况:密封环境下,所述硅片位置信息采集装置(1)无法通过有线通讯方式连接上位系统;电磁屏蔽环境下,所述硅片位置信息采集装置(1)无法通过无线通讯方式连接上位系统。

2.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,所述测量模块(12)贴合所述装置基板(11)的边缘设置,所述测量模块(12)设置在所述装置基板(11)如下位置的任一种:基板顶部;基板底部;基板侧面;或者内嵌基板中。

3.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,所述测量模块(12)为如下位置传感器中的任一种:电磁式位置传感器;光电式位置传感器;电涡流式位置传感器;电容式位置传感器;或者霍尔式位置传感器。

4.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,所述测量模块(12)的数量为如下中的任一种:3个;4个;8个;或者16个。

5.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,还包括储存模块(15),其用于储存来自采集模块(13)的硅片位置信息,所述储存模块(15)连接所述采集模块(13)。

6.根据权利要求5所述的采集系统,其特征在于,所述储存模块(15)还包括计算模块(16),其用于对所述硅片位置信息进行校准。

7.根据权利要求5或6所述的采集系统,其特征在于,还包括传输模块(17),其用于将储存模块(15)中的硅片位置信息传输至一上位系统,所述传输模块(17)连接所述储存模块(15)。

8.根据权利要求7所述的采集系统,其特征在于,还包括第一供电模块(18),其用于给硅片位置信息采集装置的测量模块(12)、采集模块(13)、储存模块(15)、传输模块(17)提供电能,所述第一供电模块电连接所述测量模块(12)、所述采集模块(13)、所述储存模块(15)以及所述传输模块(17)。

9.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,所述硅片位置信息采集装置的大小、形状与半导体制造过程中加工的硅片的大小、形状相适应。

10.根据权利要求1所述的采集系统,其特征在于,所述装置基板(11)的材料为如下材料中的任一种:硅;砷化镓;玻璃;陶瓷;氮化物;或者碳化物。

11.根据权利要求8所述的采集系统,其特征在于,还包括一上位系统(2),所述上位系统(2)至少包括I/O模块(21)、处理模块(22)以及第二供电模块(23),其中,所述I/O模块(21)连接所述处理模块(22),所述第二供电模块(23)电连接所述I/O模块(21)以及所述处理模块(22),其中,所述传输模块(17)与所述I/O模块(21)产生通讯,所述第一供电模块与所述第二供电模块(23)电连接。

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