[发明专利]数据通道老化电路、存储器及其老化方法有效

专利信息
申请号: 201811202829.4 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109087684B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50;G11C29/56
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 数据 通道 老化 电路 存储器 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种数据通道老化电路,用于对集成电路进行老化测试,其特征在于,所述数据通道老化电路包括:

存储单元,所述存储单元中存储有用于为所述集成电路中的各个数据通道提供目标电压状态的电压切换信号,所述电压切换信号是与有序排列的所述各个数据通道相对应的由0和1构成的逻辑字符串,0代表低电位状态,1代表高电位状态;

控制单元,用于产生电压控制信号,并将所述电压控制信号发送至所述各个数据通道;

选通单元,基于所述电压切换信号切换所述各个数据通道的导通状态,利用所述电压控制信号调整所述各个数据通道的电压位准以产生电压应力老化;

其中,所述控制单元包括:

信号输入端,用于接收一老化控制信号;

电压变换器,对所述老化控制信号进行电压变换后产生所述电压控制信号;

信号输出端,用于向所述各个数据通道发送所述电压控制信号;

其中,所述电压变换器包括:

第一电容,所述第一电容的一端与所述信号输入端相连,另一端与一中间节点相连;

第一半导体开关,所述第一半导体开关的第一极与所述中间节点相连,第二极和栅极与第一电压端相连;

第二半导体开关,所述第二半导体开关的第一极与所述信号输出端相连,第二极和栅极与所述中间节点相连;

第二电容,所述第二电容的一端与第二电压端相连,另一端与所述信号输出端相连;

其中,所述选通单元包括:

解码器,用于解码所述存储单元中存储的电压切换信号,并基于所述电压切换信号将所述各个数据通道中的部分数据通道置于导通状态。

2.根据权利要求1所述的数据通道老化电路,其特征在于,所述电压变换器还包括:

反相器,位于所述信号输入端与所述第一电容之间。

3.根据权利要求1所述的数据通道老化电路,其特征在于,所述第一电压端的电压位准为所述集成电路的工作电压,所述第二电压端的电压位准为接地电压。

4.根据权利要求1所述的数据通道老化电路,其特征在于,所述选通单元与所述集成电路的全部或者部分数据通道相连。

5.一种存储器,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一项所述的数据通道老化电路,所述数据通道老化电路用于对所述存储器的集成电路进行老化测试。

6.一种数据通道老化方法,用于对集成电路进行老化测试,其特征在于,应用于权利要求1至4中任一项所述的数据通道老化电路,所述方法包括:

根据电压切换信号确定所述集成电路中各个数据通道的目标电压状态;

基于所述电压切换信号切换所述各个数据通道的导通状态;

利用电压控制信号调整所述各个数据通道的电压位准以产生电压应力老化。

7.一种存储器老化方法,所述存储器包括具有多个数据通道的集成电路,其特征在于,一部分所述数据通道为机台老化数据通道,另一部分所述数据通道为电压老化数据通道;所述方法包括:

将所述机台老化数据通道连接至集成电路老化机台,并利用所述集成电路老化机台向所述机台老化数据通道传输数据;

根据电压切换信号确定所述电压老化数据通道的目标电压状态;

基于所述电压切换信号切换所述电压老化数据通道的导通状态;

利用电压控制信号调整所述电压老化数据通道的电压位准以产生电压应力老化。

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