[发明专利]三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，包括：

位于衬底上沿第一方向延伸的一个或多个阵列共源极；以及

位于所述一个或多个阵列共源极上的第一导电图案，包括：

沿第二方向延伸的一个或多个连接线，电连接至少一个所述阵列共源极；

沿所述第二方向延伸并且位于所述一个或多个连接线两侧的伪连接线；以及

沿所述第二方向延伸并且位于所述伪连接线远离所述一个或多个连接线方向的两侧的多个位线。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述伪连接线与所述位线相邻。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述一个或多个连接线的至少一侧设有多个所述伪连接线。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述一个或多个连接线同时电连接所述多个阵列共源极中的至少二个。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述多个连接线中的至少二个互相连接。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括位于所述一个或多个阵列共源极和所述第一导电图案之间的第二导电图案，至少一个所述连接线通过所述第二导电图案电连接至至少一个所述阵列共源极。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第二导电图案包括沿所述第二方向延伸的一个或多个第一导线，所述一个或多个第一导线电连接所述连接线。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述多个第一导线中的至少两个之间互相连接。

9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，至少一个所述第一导线电连接多个所述连接线。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，至少一个所述第一导线电连接相邻的两个所述连接线。

11.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第二导电图案包括沿所述第二方向延伸的一个或多个第二导线，电连接所述位线。

12.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，至少一个所述第二导线还电连接沿所述第二方向相邻的两个沟道孔中的沟道层。

13.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第二导电图案包括沿所述第二方向延伸的一个或多个第三导线，电连接所述伪连接线。

14.根据权利要求13所述的三维存储器，其特征在于，至少一个所述伪连接线连接多个所述第三导线。

15.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括多个导电插塞，与所述第一导电图案和所述第二导电图案分别连接。

16.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括多个导电接触块，与所述第一导线和所述阵列共源极分别连接。

17.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一导电图案包括一个所述连接线，所述连接线的宽度大于所述伪连接线和/或所述位线的宽度。

18.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。