[发明专利]一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构在审
| 申请号： | 201811203118.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109461800A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;卢太平;董海亮;梁建;马淑芳;贾伟;李天保;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳;赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垒层 应变补偿 量子点 量子点有源区 应变补偿层 量子点层 半导体光电子 蓝宝石衬底层 电子阻挡层 量子点结构 材料领域 晶格常数 可控性 形核层 多层 生长 引入 积累 | ||
1.一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，包括由下而上依次设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U-GaN层、N-GaN层、含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区、电子阻挡层和P-GaN层，所述含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。
2.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述中间垒层还包括紧邻所述应变补偿层并分别位于其上方和下方的GaN上垒层和GaN下垒层。
3.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述应变补偿层的材料为AlN、AlGaN及AlGaInN三种材料中的任意一种，或者任意几种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述顶垒层和底垒层为GaN垒层。
5.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述顶垒层和底垒层包括GaN垒层和设置在GaN垒层中间的应变补偿层。
6.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述InGaN量子点层上的量子点为通过S-K模式生长得到。
7.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述InGaN量子点层上的量子点为通过V-W模式生长得到。
8.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为P型AlGaN单层或P型AlGaN/GaN超晶格。
9.根据权利要求1所述的一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，所述LED结构的发光波长为蓝光、绿光到红光范围内的任一波长。
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