[发明专利]一种法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器在审
| 申请号： | 201811203239.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109307659A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 欧阳征标;梁丽容;尹嘉峻;凡俊兴 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 齐则琳;张雷 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属片 介质层 共振 法诺 折射率传感器 高灵敏度 间隔设置 表面结构 单元结构 金属层 金属层结构 磁偶极子 电偶极子 上下表面 制备工艺 不对称 灵敏度 折射率 对称 探测 侧面 应用 | ||
1.一种法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，包括多个侧面相互连接的单元结构，所述单元结构包括介质层和分别设于所述介质层上下表面且关于所述介质层对称的两个金属层，所述金属层包括设于所述介质层上的两个第一金属片和两个第二金属片，两个所述第一金属片间隔设置，两个所述第二金属片间隔设置，所述第一金属片和所述第二金属片间隔设置。
2.根据权利要求1所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述金属层的材质为金或银。
3.根据权利要求1所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述第一金属片的横截面形状为方形，和\或，
所述第二金属片的横截面形状为方形。
4.根据权利要求3所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述第一金属片的横截面形状为正方形，所述第一金属片的横截面边长为1.7～2.7微米，所述第二金属片的横截面形状为正方形，所述第二金属片的横截面边长为1.9～2.8微米。
5.根据权利要求1所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述第一金属片和所述第二金属片的厚度相等。
6.根据权利要求5所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述第一金属片和所述第二金属片的厚度均为40～60纳米。
7.根据权利要求1所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述介质层的折射率为1.6～2.8。
8.根据权利要求7所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述介质层的材质为ZnS、Al2O3或ZnTe。
9.根据权利要求1所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述介质层的厚度为90～130纳米。
10.根据权利要求1～9任一项所述的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器，其特征在于，所述单元结构沿所述介质层的侧面呈若干行和若干列分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811203239.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
