[发明专利]一种存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811203505.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109545959A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 叶建国 | 申请（专利权）人： | 叶建国 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;刘静 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器件 复合薄膜 电场 非易失性 调控层 阻变层 衬底 读写 铁电 透明阻变存储器 电阻转变特性 高密度存储 柔性存储器 第二电极 第一电极 电聚合物 信息存储 低功耗 全透明 外磁场 便携 存储 施加 制作 环保 制造 | ||
1.一种存储器件，其特征在于，包括：
衬底，用于承载所述存储器件，所述衬底为柔性衬底；
第一电极，所述第一电极形成于所述衬底上；
阻变层，形成于所述第一电极上，用于产生电场；
调控层，位于所述阻变层上，所述调控层通过电场对所述阻变层进行调控，控制阻变层的电阻转变；
第二电极，所述第二电极形成于所述调控层上。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件为全透明结构，所述阻变层具有高阻态和低阻态两种状态。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一电极和所述阻变层均为十字形。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述衬底材料为聚醚砜PES、聚对苯二甲酸乙二醇酯PI、聚乙烯对苯二酸脂PET、聚二甲基硅氧PDMS和聚丙烯己二酯PPA中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一电极的材料为ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一种，其厚度为3nm至8nm。
6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第二电极的材料为ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一种，其厚度为20nm至120nm。
7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述阻变层的材料为RE1-xCaxMnO3、RE1-xSrxMnO3、RE1-xLexMnO3、LaNiO3、SrRuO3中的至少一种，其厚度为3nm至200nm。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述调控层的材料为有机铁电聚合物聚偏氟乙烯PVDF、聚偏氟-三氟乙烯PVDF-TrFE、单相有机-无机钙钛矿压电体TMCM-MnCl3、三溴合铷酸二铵(AP)RbBr3中的至少一种，其厚度为10nm至120nm。
9.一种存储器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
对衬底进行清洁；
在清洁后的衬底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成所述阻变层；
在所述阻变层上形成所述调控层；
在所述调控层上形成所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述阻变层通过脉冲激光沉积而成。
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