[发明专利]一种像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

S1：提供一基板，并于所述基板的上表面由下至上依次形成第一金属层和N型重掺杂层；

S2：基于第一掩膜板，对所述N型重掺杂层和所述第一金属层进行刻蚀，使所述第一金属层于所述基板上形成数据线、漏极、源极和底电极；其中，所述漏极和所述源极所在区域为开关管区域，所述底电极所在区域为二极管区域，并且所述漏极和所述数据线电连接，所述源极和所述底电极电连接；

S3：于S2所得结构的上表面形成有源材料层，并基于第二掩膜板，对所述有源材料层和所述N型重掺杂层进行刻蚀，使所述N型重掺杂层于所述开关管区域形成第一接触区和第二接触区、于所述二极管区域形成N型区，同时使所述有源材料层于所述开关管区域形成有源区、于所述二极管区域形成本征区；

S4：于S3所得结构的上表面由下至上依次形成P型重掺杂层和顶电极材料层，并基于第三掩膜板，对所述顶电极材料层和所述P型重掺杂层进行刻蚀，使所述P型重掺杂层于所述二极管区域形成P型区，所述顶电极材料层于所述二极管区域形成顶电极；其中，所述N型区、所述本征区和所述P型区构成PIN结；

S5：于S4所得结构的上表面形成绝缘层，并基于第四掩膜板，对所述绝缘层进行刻蚀，以于所述二极管区域上方形成暴露出所述顶电极的过孔；以及

S6：于S5所得结构的上表面形成第二金属层，并基于第五掩膜板，对所述第二金属层进行刻蚀，使所述第二金属层于所述开关管区域形成栅电极以构成顶栅结构开关管、于所述二极管区域上方形成填充所述过孔的公共电极、于所述开关管区域外侧形成与所述栅电极电连接的扫描线；其中，所述公共电极和所述顶电极电连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括S7：于S6所得结构的上表面形成保护层的步骤。

3.根据权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，采用涂布工艺形成所述保护层。

4.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，S2中形成所述数据线、漏极、源极和底电极的具体方法包括：

S2-1a：于所述N型重掺杂层的上表面旋涂光刻胶，并基于所述第一掩膜板，对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成图形化的光刻胶层；

S2-2a：以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次对所述N型重掺杂层和所述第一金属层进行刻蚀，使所述第一金属层于所述基板上形成数据线、漏极、源极和底电极；及

S2-3a：去除所述图形化的光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，S2中形成所述数据线、漏极、源极和底电极的具体方法包括：

S2-1b：于所述N型重掺杂层的上表面旋涂光刻胶，并基于所述第一掩膜板，对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成图形化的光刻胶层；

S2-2b：以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述N型重掺杂层进行刻蚀，以将所述图形化的光刻胶层中的光刻图形转移至所述N型重掺杂层中；

S2-3b：去除所述图形化的光刻胶层；

S2-4b：以刻蚀后的所述N型重掺杂层为掩膜，对所述第一金属层进行刻蚀，使所述第一金属层于所述基板上形成数据线、漏极、源极和底电极。

6.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，S3中形成所述第一接触区、所述第二接触区、所述N型区、所述有源区和所述本征区的具体方法包括：

S3-1a：于所述有源材料层的上表面旋涂光刻胶，并基于所述第二掩膜板，对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成图形化的光刻胶层；

S3-2a：以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次对所述有源材料层和所述N型重掺杂层进行刻蚀，使所述N型重掺杂层于所述开关管区域形成第一接触区和第二接触区、于所述二极管区域形成N型区，同时使所述有源材料层于所述开关管区域形成有源区、于所述二极管区域形成本征区；及

S3-3a：去除所述图形化的光刻胶层。