[发明专利]封装装置及其制作方法有效
申请号: | 201811203567.3 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN109065460B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 许哲玮;许诗滨 | 申请(专利权)人: | 恒劲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L25/065 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种封装装置的制作方法,其特征在于其步骤包括:
提供一金属承载板,其具有相对的一第一表面与一第二表面;
形成一第一导线层于该金属承载板的该第一表面上,该第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面;
形成一第一导电柱层于该第一导线层的第一表面上;
形成一介电材料层包覆该第一导线层与该第一导电柱层并位于该金属承载板的该第一表面上,其中该第一导线层与该第一导电柱层嵌设于该介电材料层内,其中该介电材料层为感光型材质;
露出该第一导电柱层;
形成一第二导线层于该第一导电柱层与该介电材料层上;
形成一第二导电柱层于该第二导线层上;
形成一第一铸模化合物层包覆该第二导线层与该第二导电柱层并位于该介电材料层上,其中该第二导线层与该第二导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内;
露出该第二导电柱层;
移除该金属承载板;
设置防焊层于第一导线层的第二表面与介电材料层上;及
露出部分的第一导线层与介电材料层。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于其更包括:
提供一第一外接元件设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上;
形成一第二铸模化合物层包覆该第一外接元件并位于该第一导线层的该第二表面上,其中该第一外接元件嵌设于该第二铸模化合物层内;
提供多个第一导电元件设置于该第二导电柱层上;及
提供一第二外接元件设置并电性连结于该多个第一导电元件上。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于形成该第一铸模化合物层的步骤包括:
提供一铸模化合物,其中该铸模化合物具有树脂及粉状的二氧化硅;
加热该铸模化合物至液体状态;
注入呈液态的该铸模化合物于该金属承载板的该第一表面上,该铸模化合物在高温和高压下包覆该第二导线层、该第二导电柱层并位于该介电材料层上;及
固化该铸模化合物,使该铸模化合物形成该第一铸模化合物层。
4.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于该第一外接元件与该第二外接元件为一主动元件、一被动元件、一半导体芯片、一软性电路板或一印刷电路板。
5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于该介电材料层为一热固型材质。
6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于该介电材料层为一树脂材质、一氮化硅材质或一氧化硅材质。
7.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于该第一导线层与该第二导电柱层包括至少一走线或至少一个芯片座。
8.一种封装装置,其特征在于其包括:
一第一导线层,其具有相对的一第一表面与一第二表面;
一介电材料层,其中该第一导线层嵌设于该介电材料层内,该第一导线层的该第二表面高于该介电材料层,介电材料层为感光型材质;
一第二导线层,其设置于该第一导线层的该第一表面上以及该介电材料层上;
一第一导电柱层,其设置于该第二导线层上;以及
一第一铸模化合物层,其中该第二导线层与该第一导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内。
9.如权利要求8所述的封装装置,其特征在于该第一导电柱层不高于该第一铸模化合物层。
10.如权利要求8所述的封装装置,其特征在于该第一导电柱层高于该第一铸模化合物层。
11.如权利要求8所述的封装装置,其特征在于该第一导电柱层不高于该第一铸模化合物层。
12.如权利要求11所述的封装装置,其特征在于该介电材料层部份包覆该第一导线层的侧壁,该第一铸模化合物层完全包覆该第一导电柱层的侧壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造