[发明专利]一种高精度温度传感器误差修正的方法及其修正电路在审
申请号: | 201811203754.1 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109186812A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 陈珍珍;夏天;张洪;杨清 | 申请(专利权)人: | 聚辰半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | G01K15/00 | 分类号: | G01K15/00 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张妍 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修正 高精度温度传感器 误差修正 调制码 精度要求 温度信号 修正电路 晶体管 粗调 开合 温度信号修正 占空比调制器 晶体管电流 温度传感器 工艺误差 基极电压 小电流 有效地 射极 细调 | ||
1.一种高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:
S1、确定温度传感器误差修正时的所需位数修正方式;
S2、先采用不同粗调位方式对晶体管的电流进行粗调,再通过占空比调制器产生调制码流并根据调制码流高低对控制开关进行开合,对晶体管的电流进行细调,确定作为温度信号的射极-基极电压的修正范围;或者,直接通过占空比调制器产生调制码流并根据调制码流高低对控制开关进行开合,对晶体管的电流进行细调,确定作为温度信号的射极-基极电压的修正范围;
S3、根据工艺导致的误差以及所确定的温度信号的修正范围,确定控制开关开合时的晶体管的电流大小,以满足修正范围的要求;
S4、根据步骤S1中所需位数修正方式的精度要求得到修正精度。
2.如权利要求1所述的高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,所述步骤S1中,进一步包含:
通过计算工艺导致的温度信号误差a与误差精度c的比值m:再根据比值m得到实现误差修正所需位数修正方式。
3.如权利要求2所述的高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,所述步骤S2中,进一步包含:
当码流为低时,控制开关S断开,晶体管上流过的第一电流为Ibias1,产生一个射极-基极电压VBE1,记作第一电压,该第一电压为:
当码流为高时,控制开关S闭合,晶体管上流过的第二电流为Ibias1+Ibias2,产生另一个射极-基极电压VBE2,记作第二电压,第二电压为:
式中,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度,q为电子电荷,Is为晶体管反向饱和电流;
所述第一电压和所述第二电压经过滤波器后得到修正后的等效电压
VBE,trim=γVBE2+(1-γ)VBE1 (4),
式中,γ为调制码流的占空比;
由公式(2)和(3)可知修正范围为:
4.如权利要求3所述的高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,所述步骤S3中,进一步包含:
已知工艺导致的温度信号误差为a,则有:
由公式(6)可得到第二电流与第一电流的比值;
由第二电流与第一电流的比值可确定满足修正范围的要求的第一电流和第二电流的数值;
根据误差修正需要的修正方式的x位精度要求,得到相邻占空比之间的差值d=1/2x,则结合公式(4),可知修正精度为:
VBE,accuracy=VBE,trim|γ+d-VBE,trim|γ
=(γ+d)VBE2+(1-γ-d)VBE1-γVBE2-(1-γ)VBE1
=d·VBE2-d·VBE1
=d·(VBE2-VBE1)
=d·VBE,range (7)。
5.如权利要求1所述的高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,粗调方式设置为2bit粗调方式或者其他位数粗调方式,且占空比调制方式与所述粗调方式匹配设置。
6.如权利要求5所述的高精度温度传感器误差修正的方法,其特征在于,所述占空比调制方式可通过增加调制采样时钟周期的个数增加调制精度。
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