[发明专利]一种生长碳化硅单晶的热场结构有效
| 申请号： | 201811204668.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109280964B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 高超;李长进;孙元行 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热场结构 碳化硅单晶 轴向温度梯度 保温结构 杂质元素 电活性 坩埚 制备 生长 半绝缘碳化硅单晶 制造 径向均匀分布 温度分布均匀 大尺寸坩埚 径向电阻率 径向分布 热场分布 温度分布 温度梯度 保温孔 传统的 低应力 散热 壁厚 衬底 单晶 高纯 热场 申请 改进 | ||
1.一种生长碳化硅单晶的热场结构，包括坩埚、加热单元和保温结构，其特征在于，该保温结构包括保温结构顶部、保温结构侧部和保温结构底部，该坩埚位于该保温结构的密封腔体内，所述加热单元通过感应的方式加热坩埚的外壁；
该坩埚的侧壁开口区域壁厚大于底部区域的壁厚；
该坩埚的开口截面至其上方的保温结构顶部内表面具有第一距离，该第一距离沿着坩埚中心至坩埚边缘增大，该保温结构顶部沿着坩埚边缘至中心的方向增厚；该第一距离的变化值为5-50mm；
该坩埚的侧壁沿着坩埚底部至开口方向线性加厚；沿着该坩埚底部至其开口方向，该保温结构侧部内表面沿着远离该坩埚中心轴线的方向延伸；该坩埚的侧壁内表面为大致圆柱状，该坩埚的外壁具有与该保温结构侧部内表面大致相同的延伸方向；
该保温结构的外表面为圆柱体，该保温结构侧部的壁部沿着坩埚开口至底部方向线性加厚；
该坩埚与该保温结构共第一中心轴线；
该第一中心轴线与该坩埚的侧壁内表面和该保温结构侧部外表面大致平行；
该第一中心轴线与该坩埚的侧壁外表面具有第一夹角和，该第一中心轴线与该保温结构侧部内表面具有第二夹角，该第一夹角值为5～30°，该第二夹角值为5～30°，该第一夹角和第二夹角大致相等。
2.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，该坩埚为石墨坩埚。
3.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，该保温结构顶部不具有开口；该保温结构底部的内表面大致为圆柱状。
4.一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，使用权利要求1-3中任一项所述热场结构进行制备。
5.一种晶体生长装置，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的热场结构。
6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置用于制备直径为4-12英寸的半绝缘碳化硅单晶。
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