[发明专利]信号整合电路和方法、以及信号监控电路和方法

说明书

本发明提供了一种信号整合电路、包括该信号整合电路的信号监控电路、信号整合方法、以及采用该信号整合方法的信号监控方法。该信号整合电路包括第一采样电路、第二采样电路、第一开关切换元件、第二开关切换元件以及脉冲宽度调制驱动信号源，脉冲宽度调制驱动信号源用于控制该第一和第二开关切换元件的导通和关断来将两个模拟信号组合为复合信号。该信号监控电路包括该信号整合电路，以及用于接收该复合信号进行检测的微控制单元。本发明将两种模拟信号组合为复合信号一起传输，节省传输中需要的连接端口数，有利于缩小产品尺寸。同时，节省微控制单元的检测端口数，降低微控制单元成本。本发明特别适用于对LED产品的输出电压和电流进行监控。

技术领域

本发明涉及模拟信号组合传输技术领域，特别是一种信号整合电路、包括该信号整合电路的信号监控电路、信号整合方法、以及采用该信号整合方法的信号监控方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)产品正越来越智能化。对于很多LED智能产品，需要实时监控LED的电压和电流，以便实时掌握LED的工作状态并进行相应调整。

目前常规的LED电压和电流检测方式如下：通过两条线将所采集的LED电压信号和电流信号分别传输到转接器上各自的连接端口，然后再从各自的连接端口分别传输到微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)上各自的检测端口，由MCU经过检测、换算，得到LED的电压值和电流值。由于电压和电流信号分两条线各自传输，则转接器和MCU上需要分别配备两个连接端口和两个检测端口，这一定程度上增加了产品的尺寸和MCU的成本，无法满足产品微型化和成本降低的要求。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的信号整合电路、信号监控电路、信号整合方法和信号监控方法。

根据本发明实施例的一方面，提供了一种信号整合电路，包括：

第一采样电路，用于对第一模拟信号进行采样，输出具有在第一预设电压范围内的第一电压的第一采样信号；

第二采样电路，用于对第二模拟信号进行采样，输出具有在第二预设电压范围内的第二电压的第二采样信号，所述第二预设电压范围与所述第一预设电压范围互不重叠；

第一开关切换元件，具有输入端、输出端和控制端，并且所述第一开关切换元件的输入端与所述第一采样电路的输出连接；

第二开关切换元件，具有输入端、输出端和控制端，并且所述第二开关切换元件的输入端与所述第二采样电路的输出连接，所述第二开关切换元件的输出端与所述第一开关切换元件的输出端连接；以及

脉冲宽度调制PWM驱动信号源，分别与所述第一开关切换元件的控制端和所述第二开关切换元件的控制端连接，用于输出一具有指定波形的PWM驱动信号，以控制所述第一开关切换元件和所述第二开关切换元件的导通和关断；其中，在所述PWM驱动信号的控制下，所述第一开关切换元件和所述第二开关切换元件中的任一者导通，则另一者关断，从而使所述第一开关切换元件和所述第二开关切换元件分时输出所述第一采样信号和所述第二采样信号，以将所述第一采样信号和所述第二采样信号组合为具有与所述指定波形相应的矩形波形的复合信号。

可选地，所述第一模拟信号为电压信号，所述第二模拟信号为电流信号。

可选地，所述第一开关切换元件和所述第二开关切换元件是金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或可控硅整流器SCR。

可选地，所述第一开关切换元件和所述第二开关切换元件中的一个是N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，另一个是P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET。

可选地，所述第一预设电压范围为3-5V，并且所述第二预设电压范围为0-2V。