[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811205142.6 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109638114B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的N型GaN层、低温N型GaN层、超晶格结构、有源层及P型GaN层，所述低温N型GaN层在800～900℃的温度下生长得到，
所述超晶格结构包括交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层，其中GaN子层中掺杂有Si元素，所述铝镓氮子层为AlXGa1-XN层，所述铟镓氮子层为InZGa1-ZN层，其中0.1＜X＜0.4，0.1＜Z＜0.3。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述铝镓氮子层的厚度、所述铟镓氮子层的厚度及所述GaN子层的厚度均为5～15nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述铝镓氮子层的层数、所述铟镓氮子层的层数及所述GaN子层的层数均为5～20。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述GaN子层中Si元素的掺杂浓度为1×1017～1×1018cm-3。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述低温N型GaN层的厚度为30～80nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长低温N型GaN层，所述低温N型GaN层的生长温度为800～900℃；
在所述低温N型GaN层上生长超晶格结构；
在所述超晶格结构上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层，
其中，所述超晶格结构包括交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层，其中GaN子层中掺杂有Si元素，所述铝镓氮子层为AlXGa1-XN层，所述铟镓氮子层为InZGa1-ZN层，其中0.1＜X＜0.4，0.1＜Z＜0.3。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述超晶格结构的生长温度为800～900℃。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述超晶格结构的生长压力为50～300Torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811205142.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
