[发明专利]包括半导体器件封装的电子设备在审
| 申请号： | 201811207296.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801885A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 金吉洙;金容勋;吴琼硕;黄泰周 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体器件封装 电路板 电子设备 散热结构 顶表面 模制件 侧壁 覆盖 | ||
1.一种电子设备，包括：
电路板；
半导体器件封装，安装在所述电路板上，所述半导体器件封装包括：
连接到所述电路板的封装衬底，
并排地安装在所述封装衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，以及
围绕所述第一半导体器件的侧壁和所述第二半导体器件的侧壁的模制件，所述模制件不覆盖所述第一半导体器件的顶表面；以及
散热结构，在所述半导体器件封装上，所述第一半导体器件的顶表面与所述散热结构接触。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述散热结构在平行于所述电路板的第一方向上的最大长度大于所述半导体器件封装在所述第一方向上的最大长度。
3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述散热结构包括：吸热器，所述吸热器与所述半导体器件封装接触；以及传热器，所述传热器在远离所述半导体器件封装的方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述模制件覆盖所述第二半导体器件的顶表面，并且所述第二半导体器件的顶表面和所述散热结构通过所述模制件彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述模制件不覆盖所述第二半导体器件的顶表面，并且所述第二半导体器件的顶表面与所述散热结构接触。
6.根据权利要求1所述的电子设备，还包括在所述第一半导体器件的顶表面与所述散热结构之间的热界面材料TIM层。
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述模制件不覆盖所述第二半导体器件的顶表面，并且所述第二半导体器件的顶表面与所述TIM层接触。
8.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述模制件不覆盖所述第二半导体器件的顶表面，并且所述第二半导体器件的顶表面与所述TIM层间隔开。
9.一种电子设备，包括：
电路板；
半导体器件封装，安装在所述电路板上；
热界面材料TIM层，与所述半导体器件封装的上部接触；以及
散热结构，与所述TIM层接触，
其中，所述半导体器件封装包括：
连接到所述电路板的封装衬底；
第一半导体器件，安装在所述封装衬底上，所述第一半导体器件与所述TIM层接触；
第二半导体器件，安装在所述封装衬底上，所述第二半导体器件在平行于所述电路板的第一横向方向上与所述第一半导体器件间隔开；以及
模制件，覆盖所述第一半导体器件的侧壁和所述第二半导体器件的侧壁。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述散热结构的平面区域大于所述半导体器件封装的平面区域。
11.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一半导体器件在垂直于所述封装衬底的第二方向上的厚度大于所述第二半导体器件在所述第二方向上的厚度，并且所述模制件覆盖所述第二半导体器件的顶表面。
12.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一半导体器件在垂直于所述封装衬底的第二方向上的厚度基本上等于所述第二半导体器件在所述第二方向上的厚度，并且所述模制件不覆盖所述第二半导体器件的顶表面。
13.根据权利要求12所述的电子设备，其中，所述第二半导体器件的顶表面被所述TIM层覆盖。
14.根据权利要求12所述的电子设备，其中，所述第二半导体器件的顶表面未被所述TIM层覆盖并且与所述散热结构间隔开。
15.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述模制件的热导率低于所述第一半导体器件的热导率。
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