[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

字线控制电路，其被配置为将第一字线使能和禁止，

其中，所述字线控制电路包括至少一个开关，所述开关将字线组的第二字线和所述第一字线耦接和解耦。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述至少一个开关在所述第一字线被禁止之前将所述第一字线与所述第二字线耦接预定时间段。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述至少一个开关在所述第二字线被使能之前将所述第一字线与所述第二字线耦接预定时间段。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述至少一个开关包括第一开关和第二开关，

其中，所述字线组包括所述第二字线和第零字线，

其中，所述第一开关在所述第一字线被使能之前将所述第一字线与所述第零字线耦接第一预定时间段，以及

其中，所述第二开关在所述第一字线被禁止之前将所述第一字线与所述第二字线耦接第二预定时间段。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，还包括：

第一电容器，其耦接到第一节点，所述第一开关与所述第零字线在所述第一节点相耦接；以及

第二电容器，其耦接到第二节点，所述第二开关与所述第二字线在所述第二节点相耦接。

6.一种半导体存储装置，包括：

字线控制电路，其被配置为将字线使能和禁止，

其中，所述字线控制电路包括将所述字线与电容器耦接和解耦的开关。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述开关在所述字线被使能之前将所述字线与所述电容器耦接第一预定时间段，以及在所述字线被禁止之前将所述字线与所述电容器耦接第二预定时间段。

8.一种半导体存储装置，包括：

第一驱动器，其被配置为响应于第一字线使能信号将第一字线使能或禁止；

第一开关，其被配置为响应于第一电压传送信号将所述第一字线与第二字线耦接和解耦；以及

第一控制信号发生电路，其被配置为响应于刷新信号和所述第一字线使能信号来产生所述第一电压传送信号。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，还包括：

第二驱动器，其被配置为响应于第二字线使能信号将所述第二字线使能或禁止；

第二开关，其被配置为响应于第二电压传送信号将所述第二字线与第三字线耦接和解耦；以及

第二控制信号发生电路，其被配置为响应于所述刷新信号和所述第二字线使能信号来产生所述第二电压传送信号。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，当所述第一电压传送信号被使能时，所述第一开关将所述第一字线与所述第二字线耦接，以及当所述第一电压传送信号被禁止时，所述第一开关将所述第一字线与所述第二字线解耦。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，当所述刷新信号被禁止时，不管所述第一字线使能信号如何，所述第一控制信号发生电路将所述第一电压传送信号禁止，以及其中，当所述刷新信号被使能时，所述第一控制信号发生电路响应于所述第一字线使能信号将所述第一电压传送信号使能。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中，当所述刷新信号被使能时，所述第一控制信号发生电路在所述第一字线使能信号被禁止之前将所述第一电压传送信号使能，以及在所述第一字线使能信号被禁止时将所述第一电压传送信号禁止。