[发明专利]一种超致密Cu(OH)2

权利要求书

1.一种超致密Cu(OH)₂纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、ZnO种子层制备：采用磁控溅射的方式在基底上沉积一层ZnO薄膜，用于后续生长ZnO催化纳米棒，其中，所述ZnO种子层的沉积厚度为1μm～30μm；

S2、ZnO催化纳米棒的制备：在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄混合液中，以在所述ZnO种子层上生长ZnO催化纳米棒，其中，Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄溶液的摩尔质量浓度配比为1:5～5:1，所述混合液的温度为室温；

S3、Cu种子层制备：在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层，所述Cu种子层的沉积厚度为0.2μm；

S4、生长纳米线：将所述S3中沉积有Cu种子层的基底置于摩尔质量浓度配比为50:1～5:1的NaOH和(NH₄)₂S₂O₈混合溶液中，以在ZnO催化纳米棒的催化作用下，Cu²⁺和-OH有更多的接触位点以加速Cu种子层生长Cu(OH)₂纳米的速度从而获得质量更好的超致密Cu(OH)₂纳米线，通过控制ZnO催化纳米棒的生长形貌控制Cu(OH)₂纳米线的形貌。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO种子层的沉积厚度为15μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄的摩尔质量浓度配比为1:1。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO催化纳米棒的生长时间为10min～60min。

5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中NaOH和(NH₄)₂S₂O₈的摩尔质量浓度配比为25:1。

6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述超致密Cu(OH)₂纳米线的生长时间为0.5min～60min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1和S3中采用磁控溅射的方式进行沉积ZnO种子层和Cu种子层。

8.一种超致密Cu(OH)₂纳米线，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的制备方法制得。

9.如权利要求8所述的超致密Cu(OH)₂纳米线在制作湿度传感器的用途。