[发明专利]用于封装有机发光二极管的方法有效
申请号: | 201811208804.5 | 申请日: | 2012-02-03 |
公开(公告)号: | CN109390496B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | D·哈斯;J·M·怀特;B-S·L·克瓦克;崔寿永;J·J·陈;J·M·迭戈兹-坎波 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 封装 有机 发光二极管 方法 | ||
1.一种用于封装具有OLED结构的基板的方法,所述OLED结构形成于所述基板上方,所述方法包括以下步骤﹕
在接触层上方沉积牺牲有机层,所述接触层设置于所述基板的上表面上方;
在所述基板、所述接触层和所述OLED结构上方沉积第一无机封装层,所述OLED结构设置于所述接触层上,其中所述第一无机封装层包括第一介电层,所述第一介电层从SiN、SiON、SiO2、Al2O3、AlN或以上材料的混合物中的至少一个中选择,其中所述接触层设置于所述OLED结构下方且从所述OLED结构下延伸出,其中所述接触层的上表面包括第一部分及第二部分,其中所述牺牲有机层设置于所述接触层的所述上表面的所述第一部分上并且所述OLED结构设置于所述接触层的所述上表面的所述第二部分上;
在所述第一无机封装层上方沉积有机封装层,其中所述有机封装层包括有机材料,所述有机材料从丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或以上材料的混合物中的至少一个中选择;
在所述第一无机封装层上方沉积第二无机封装层,其中所述第二无机封装层包括第二介电层,所述第二介电层从SiN、SiON、SiO2或以上材料的混合物中的至少一个中选择;以及
通过引导在被所述牺牲有机层吸收的频率下操作的激光,激光烧蚀设置于所述接触层的所述上表面的所述第一部分上方的所述第一无机封装层和第二无机封装层中的至少一个封装层,以暴露出所述接触层的所述上表面的所述第一部分和所述基板的所述上表面,其中在所述第一无机封装层、所述有机封装层和所述第二无机封装层的沉积期间在所述基板上方不存在掩模。
2.一种用于封装具有OLED结构的基板的方法,所述OLED结构形成于所述基板上方,所述方法包括以下步骤﹕
在接触层上方沉积牺牲有机层,所述接触层设置于所述基板的上表面上方;
在所述基板、所述接触层和所述OLED结构上方沉积第一无机封装层,所述OLED结构设置于所述接触层上,其中所述第一无机封装层包括第一介电层,所述第一介电层从SiN、SiON、SiO2、Al2O3、AlN或以上材料的混合物中的至少一个中选择,其中所述接触层设置于所述OLED结构下方且从所述OLED结构下延伸出,其中所述接触层的上表面包括第一部分及第二部分,并且所述牺牲有机层设置于所述接触层的所述上表面的所述第一部分上并且其中所述OLED结构设置于所述接触层的所述上表面的所述第二部分上;
在位于所述OLED结构上方的所述第一无机封装层上方沉积有机封装层,其中所述有机封装层包括有机材料,所述有机材料从丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或以上材料的混合物中的至少一个中选择;
在所述有机封装层和所述第一无机封装层上方沉积第二无机封装层,其中所述第二无机封装层包括第二介电层,所述第二介电层从SiN、SiON、SiO2或以上材料的混合物中的至少一个中选择;以及
通过引导在被所述牺牲有机层吸收的频率下操作的激光,激光烧蚀设置于所述接触层的所述上表面的所述第一部分上方的所述第二无机封装层、所述有机封装层和所述第一无机封装层,以暴露出所述接触层的所述上表面的所述第一部分和所述基板的所述上表面,其中在所述第一无机封装层、所述有机封装层和所述第二无机封装层的沉积期间在所述基板上方不存在掩模。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中所述接触层的所述上表面的所暴露出的第一部分是藉由冲洗、利用气体或擦拭来清洁的,以移除任何残留的封装层材料。
4.如权利要求1或2所述的方法,其中所述接触层的所述上表面的所暴露出的第一部分是藉由利用空气来清洁的,以移除任何残留的封装层材料。
5.如权利要求1或2所述的方法,其中所述接触层的所述上表面的所暴露出的第一部分是藉由激光处理来清洁的,以移除任何残留的封装层材料。
6.如权利要求1或2所述的方法,其中所述激光是紫外线激光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择