[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括发光二极管芯粒和散热基座，所述发光二极管芯粒包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；

其特征在于，所述发光二极管还包括砷化硼薄膜，所述砷化硼薄膜铺设在所述散热基座上，并与所述发光二极管芯粒键合，所述砷化硼薄膜的厚度为20nm～500nm；所述砷化硼薄膜铺设在所述散热基座上是指，将所述散热基座放置在化学气相沉积设备的反应腔内，并向所述反应腔内通入载气、硼源和砷源，在所述散热基座上形成所述砷化硼薄膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括反射层，所述反射层设置在所述发光二极管芯粒和所述砷化硼薄膜之间，或者，所述反射层设置在所述砷化硼薄膜和所述散热基座之间。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层包括分布式布拉格反射镜和金属反射层中的至少一个。

4.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一散热基座；

在所述散热基座上形成砷化硼薄膜，所述砷化硼薄膜的厚度为20nm～500nm；

将发光二极管芯粒与所述砷化硼薄膜键合，所述发光二极管芯粒包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；

所述在所述散热基座上形成砷化硼薄膜，包括：

将散热基座放置在化学气相沉积设备的反应腔内；

向所述反应腔内通入载气、硼源和砷源，在所述散热基座上形成砷化硼薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通入所述反应腔内的砷源的体积大于通入所述反应腔内的硼源的体积。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通入所述反应腔内的砷源的体积小于或等于通入所述反应腔内的硼源的体积的15倍。

7.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述反应腔内的温度为150℃～800℃。

8.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将发光二极管芯粒与所述砷化硼薄膜键合，包括：

将所述发光二极管芯粒放置在所述砷化硼薄膜上；

对所述发光二极管芯粒施加朝向所述砷化镓薄膜的压力，利用范德华力将所述发光二极管芯粒与所述砷化硼薄膜键合。