[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板在审
申请号: | 201811209055.8 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN109378403A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;成军;王庆贺;张扬;刘宁;杜生平;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 阴极 导电结构 发光层 基底 制备 发光单元 显示面板 电连接 背离 阳极 产品良率 结构设置 生产效率 颗粒物 打孔 出射 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。该阵列基板包括基底和设置在基底上的OLED发光单元,OLED发光单元包括依次远离基底设置的阳极、发光层和阴极,发光层发出的光线从阴极所在侧出射,还包括设置在阴极背离基底侧的导电结构,导电结构与阴极电连接。该阵列基板通过将导电结构设置在阴极背离基底的一侧,使导电结构与阴极的电连接无需再在发光层上打孔就能实现,相对于现有的通过在发光层中形成过孔以使导电结构与阴极连接的方式,本实施例中的阵列基板的结构设置,不会额外增加阵列基板的制备时间,从而确保了该阵列基板的生产效率,同时还避免了在发光层中形成过孔时产生大量颗粒物,从而确保了该阵列基板的产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
对于顶发射型OLED显示器件,为了降低阴极的阻抗,需要在顶发射型OLED显示器件中制作辅助电极,以此来减小回路上的电压降,以降低功耗。
现有的辅助电极一般是制作在TFT背板上面,阴极通过开设在OLED显示器件发光层中的过孔与辅助电极连接。这种辅助电极在制备时至少存在以下两个问题:一是需要用激光在发光层上面形成过孔,阴极通过该过孔与辅助电极相连接,但是随OLED显示器件分辨率的增加,制备时间会急剧的增加,影响OLED显示器件的生产效率;二是激光在发光层上面形成过孔的时候会形成大量的颗粒物,严重的影响OLED显示器件的产品良率。
因此,如何在制备形成顶发射型OLED显示器件的辅助电极时避免出现上述问题已成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。该阵列基板使导电结构与阴极的电连接无需再在发光层上打孔就能实现,相对于现有的通过在发光层中形成过孔以使导电结构与阴极连接的方式,本实施例中的阵列基板的结构设置,不会额外增加阵列基板的制备时间,从而确保了该阵列基板的生产效率,同时还避免了在发光层中形成过孔时产生大量颗粒物,从而确保了该阵列基板的产品良率。
本发明提供一种阵列基板,包括基底和设置在所述基底上的OLED发光单元,所述OLED发光单元包括依次远离所述基底设置的阳极、发光层和阴极,所述发光层发出的光线从所述阴极所在侧出射,还包括设置在所述阴极背离所述基底侧的导电结构,所述导电结构与所述阴极电连接。
优选地,所述OLED发光单元为多个,多个所述OLED发光单元间隔排布,所述OLED发光单元之间的间隔区域为不发光区域;
所述导电结构对应分布于所述不发光区域。
优选地,所述导电结构为网格状结构。
优选地,所述导电结构为块状结构或条状结构。
优选地,所述导电结构对应分布于部分所述不发光区域。
本发明还提供一种显示面板,包括上述阵列基板。
优选地,还包括封装盖板,所述封装盖板与所述阵列基板对合设置,所述封装盖板与所述阵列基板之间设置有透明粘胶,所述透明粘胶对应分布于所述封装盖板和所述阵列基板的中间区域。
优选地,所述封装盖板与所述阵列基板之间还设置有封框胶,所述封框胶对应分布于所述封装盖板和所述阵列基板的四周边框区域。
本发明还提供一种上述阵列基板的制备方法,包括在基底上依次形成OLED发光单元的阳极、发光层和阴极,还包括在形成所述OLED发光单元的所述基底上形成导电结构。
优选地,形成所述导电结构包括:
将具有所述导电结构图形的金属掩膜板置于形成所述阴极的所述基底上;
通过沉积的方法在形成所述阴极的所述基底上沉积形成导电结构膜层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择