[发明专利]封装半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种封装半导体元件，包括：

一芯片，包括一导电垫；

一第一绝缘层，设置在该芯片上；

一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；

一导电薄膜，设置在该第二绝缘层上，其中该导电薄膜贯穿该第二绝缘层并接触该导电垫；

一重布层，设置在该导电薄膜上；

一探测垫，设置在该重布层上；以及

一第三绝缘层，设置在该重布层及该第二绝缘层上；

其中该第三绝缘层覆盖该探测垫的一部分，且该重布层和该探测垫之间的一区域中没有底切。

2.如权利要求1所述的封装半导体元件，还包括：

一基底，其中该芯片设置在该基底上；

一第一布线层，设置在该基底上；以及

一第四绝缘层，设置在该第三绝缘层及该第一布线层上；

其中一第一导电柱贯穿该第四绝缘层并接触该第一布线层。

3.如权利要求1所述的封装半导体元件，还包括：

一基底，其中该芯片设置在该基底上；

一第四绝缘层，设置在该第三绝缘层及一接合垫上；

一第二布线层，设置在该第四绝缘层上；以及

一第一导电柱，贯穿该第四绝缘层并接触该接合垫。

4.如权利要求1所述的封装半导体元件，还包括一保护层，设置在该第一绝缘层和该芯片之间。

5.如权利要求1所述的封装半导体元件，其中该探测垫包括一金属块及一金属保护层。

6.如权利要求5所述的封装半导体元件，其中该金属块是一铜块，该金属保护层是一镍金层。

7.如权利要求1所述的封装半导体元件，其中该导电薄膜包括朝向该芯片的一凸出。

8.如权利要求1所述的封装半导体元件，其中该第一绝缘层的材料、该第二绝缘层的材料以及该第三绝缘层的材料包括聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的封装半导体元件，其中该重布层的材料是铜。

10.如权利要求1所述的封装半导体元件，其中该导电垫的材料是铝。

11.如权利要求1所述的封装半导体元件，还包括一晶粒结合薄膜，其中该晶粒结合薄膜覆盖该第三绝缘层。

12.一种封装半导体元件的制备方法，包括：

提供一芯片，具有一导电垫；

形成一第一绝缘层在该芯片上，其中该第一绝缘层包括一第一开口，且该第一开口暴露该导电垫的一部分；

形成一第二绝缘层在该第一绝缘层上；

形成一导电薄膜在该第二绝缘层及该导电垫上；

形成一第一图案化掩模在该第二绝缘层上，其中该第一图案化掩模定义一第一区域，该第一区域暴露该导电薄膜的一部分；

形成一重布层在该第一区域中；

形成一第二图案化掩模在该重布层上，其中该第二图案化掩模定义一第二区域，该第二区域暴露该重布层的一部分；

形成一探测垫在该第二区域中；以及

形成一第三绝缘层在该重布层及该第二绝缘层上，其中该第三绝缘层包括一第二开口，且该第二开口暴露该探测垫的一部分。

13.如权利要求12所述的制备方法，还包括：

安装该芯片在一基底上，该基底上具有一第一布线层；

形成一第四绝缘层覆盖该第一布线层及该第三绝缘层；

形成一金属层覆盖该第四绝缘层；以及

形成一第三开口和一第四开口在该第四绝缘层和该金属层中，其中该第三开口暴露该重布层的一部分，该第四开口暴露该第一布线层的一部分；形成一第二布线层，具有一第一导电柱和一第二导电柱，其中该第一导电柱接触该重布层，该第二导电柱接触该第一布线层。