[发明专利]一种抗辐照双极温度监测电路

权利要求书

1.一种抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，包括温度传感器电路、正反馈放大电路和放大输出电路；温度传感器电路利用NPN晶体管对双极稳压器的基准电压V_REF进行跟随，实现温度传感并输出信号给正反馈放大电路；正反馈放大电路对温度传感器电路的输出信号进行放大并输出给放大输出电路；放大输出电路对正反馈放大器输出信号进行采样放大，控制双极稳压器输出功率晶体管的输出；

温度传感器电路包括晶体管Q_n2、电阻R₂和电阻R₃；晶体管Q_n2基极接带隙基准电压V_REF，集电极接电源V_IN，发射极接电阻R₂一端；电阻R₂一端接晶体管Q_n2发射极，另一端接a₂点；电阻R₃一端接a₂点，另一端接地；

正反馈放大电路包括晶体管Q_n3、晶体管Q_n4、晶体管Q_lp4和电阻R₄；晶体管Q_n3基极接晶体管Q_lp4集电极，集电极接晶体管Q_n4发射极，发射极接地；晶体管Q_n4基极与集电极相连并接晶体管Q_lp4基极，发射极接晶体管Q_n3集电极；晶体管Q_lp4基极接晶体管Q_n4基极与集电极，集电极接晶体管Q_n3基极，发射极接电阻R₄一端；电阻R₄一端接晶体管Q_lp4发射极，另一端接a₃；晶体管Q_n3基极接a₂点，晶体管Q_lp4集电极接a₂点；

放大输出电路包括两级放大器，第一级放大器采用共射放大结构，第二级放大器采用集电极开路结构；放大输出电路包括电阻R₅、晶体管Q_lp5、电阻R₆和晶体管Q_n5；电阻R₅一端接a₃，另一端接晶体管Q_lp5发射极；晶体管Q_lp5基极接a₄，集电极接a₅点，发射极接电阻R₅另一端；电阻R₆一端接a₅点，另一端接地；晶体管Q_n5基极接a₅点，集电极接OUT点，发射极接地。

2.根据权利要求1所述的抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，晶体管Q_n2发射区面积为7μm×7μm，电阻R₂和电阻R₃采用注入电阻。

3.根据权利要求1所述的抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，晶体管Q_lp4发射区直径为10μm，基区宽度为8μm；晶体管Q_n3和晶体管Q_n4发射区面积均为7μm×7μm，R₄电阻采用注入电阻。

4.根据权利要求1所述的抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，晶体管Q_lp5发射区直径为10μm，基区宽度为8μm；晶体管Q_n5发射区面积为7μm×7μm，电阻R₅和电阻R₆采用注入电阻。

5.根据权利要求1所述的抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，还包括偏置电流源电路，偏置电流源电路为正反馈放大电路和放大输出电路提供工作电流。

6.根据权利要求5所述的抗辐照双极温度监测电路，其特征在于，偏置电流源电路包括元件晶体管Q_n1、电阻R₁、晶体管Q_lp1、晶体管Q_lp2和晶体管Q_lp3；晶体管Q_n1基极接带隙基准电压V_REF，集电极接a₁点，发射极接电阻R₁一端；电阻R₁一端接晶体管Q_n1发射极，另一端接地；晶体管Q_lp1基极与集电极相连并接a₁点，发射极接电源V_IN；晶体管Q_lp2基极接a₁点，集电极接入正反馈放大电路和放大输出电路，发射极接电源V_IN；晶体管Q_lp3基极接a₁点，集电极接入正反馈放大电路和放大输出电路，发射极接电源V_IN。