[发明专利]一种基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器在审
| 申请号： | 201811212190.8 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109540286A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 马建国;商德春;傅海鹏;刘亚轩;张新 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;H01L29/10 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴片天线 半导体场效应晶体管 太赫兹波 非对称 氧化物 沟道 太赫兹波探测器 场效应晶体管 金属 传输线 输入阻抗匹配 阻抗匹配网络 功率最大化 晶体管组 输入阻抗 探测响应 天线馈电 直流信号 高响应 源极 读出 探测 传输 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器，其特征在于，包括：用来接收太赫兹波信号的贴片天线，用于探测该贴片天线接收的太赫兹波信号并整流成较微弱的直流信号读出的非对称沟道的N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管；所述贴片天线及晶体管组之间设置有由三根传输线组成T形阻抗匹配网络，以使天线馈电处的输入阻抗与N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的源极输入阻抗匹配，以实现贴片天线到N型-金属-氧化物-半导体场效应晶体管之间的功率最大化传输。
2.根据权利要求1所述基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器，其特征在于，在所述N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极外接偏置电源以使N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的沟道打开，并且在该栅极处接一开路四分之一波长的阻抗变换器，消除对贴片天线与N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管之间的阻抗匹配的影响。
3.根据权利要求3所述基于非对称沟道的场效应晶体管太赫兹波探测器，其特征在于，所述N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的非对称沟道为横梯形状。
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