[发明专利]基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法

说明书

本发明涉及IGZO技术领域，特别涉及一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法，包括多路分配器的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；通过结合现有技术中将第三金属层作为触控层的制程优势基础上，将第三金属层作为顶栅运用在多路分配器结构上，进而实现提高IGZO器件沟道电子迁移率，达到提升电流和缩小多路分配器宽度设计需求大小，在节约光罩减少成本的同时又满足全面屏窄边框的需求。

技术领域

本发明涉及IGZO技术领域，特别涉及一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法。

背景技术

随着显示器技术的发展进步，人们对显示器的品质和外观设计提出更高的要求，目前低成本、全面屏和窄边框技术已变成显示器面板行业趋势。

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高薄膜场效应晶体管(TFT)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率的薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)。同时，IGZO在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

多路分配器(DEMUX)应用于IGZO制程上会影响显示区充电率，目前工艺设计在DEMUX器件加长沟道宽度，加大电流提升充电率；但是，增加DEMUX区域的宽度无法满足全面屏和窄边框的设计。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法，以提升多路分配器区域电流和对显示区充电率，改善IGZO器件较LTPS电子迁移率低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，包括多路分配器的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和平坦层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面与第二金属层表面和第二绝缘层表面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触，还包括第三金属层，所述平坦层上设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层分别与所述第三绝缘层另一侧面、第二过孔的孔壁表面和平坦层表面接触。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，包括以下步骤：

S1、提供一多路分配器的玻璃层，且在所述玻璃层上覆盖一第一金属层；

S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于第一金属层表面；

S3、形成一半导体层，且覆盖于第一绝缘层表面；

S4、形成一第二绝缘层，且覆盖于半导体层表面；

S5、于所述第二绝缘层中形成至少两个的第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层，且第二金属层与半导体层接触；

S6、形成一第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于第二金属层表面和第二绝缘层表面；

S7、于所述第三绝缘层表面形成一平坦层，于所述平坦层上形成至少一个的第二过孔；

S8、形成一第三金属层，所述第三金属层分别与所述第三绝缘层另一侧面、第二过孔的孔壁表面和平坦层表面接触。

本发明的有益效果在于：结合现有技术中将第三金属层作为触控层的制程优势基础上，将第三金属层作为顶栅运用在多路分配器结构上，进而实现提高IGZO器件沟道电子迁移率，达到提升电流和缩小多路分配器宽度设计需求大小，在节约光罩减少成本的同时又满足全面屏窄边框的需求。