[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器有效
申请号: | 201811212975.5 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109298570B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 郝思坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 液晶显示器 | ||
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的像素电极;所述像素电极包括第一分体以及与第一分体连接的多个第二分体,所述第二分体按预定间隔排布;其中,所述第二分体上设置有镂空结构。有益效果:通过在像素电极上增加镂空结构,可以增加曝光过程中,光线穿过光罩的强度,从而增加光阻的感光强度,使像素电极的做的线宽更细、间距更小,同时减少曝光时间和曝光强度,提高生产效益。而在背景技术中已经提及,像素电极的线宽和线距减小,可以增加液晶显示器的液晶效率,液晶效率的提升可以增加液晶显示器的穿透率,从而提升显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器。
背景技术
目前普遍采用的液晶显示器,通常由薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板以及位于薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。目前,VA模式薄膜晶体管显示器,以其高开口、高分辨率、广视角等特点为液晶电视等大尺寸面板采用。
对于VA模式显示器,传统的像素设计中,薄膜晶体管阵列基板上的像素电极(ITO)设计为鱼骨状,并分割为多个区域改善视角特性,彩膜基板侧的像素电极没有形状。使用上述设计方法的像素,随着像素电极的线宽和线距的减小,像素的液晶效率提升,液晶效率的提升可以增加液晶显示器的穿透率,提升显示品质。
但是随着像素电极的线宽及线距变小,制作过程中需要的曝光强度越来越大,曝光时间越来越长,这会降低生产效益。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,以解决随着像素电极的线宽及线距变小,制作过程中需要的曝光强度越来越大,曝光时间越来越长,从而导致生产效益降低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
基板;以及
设置于所述基板上的像素电极,所述像素电极包括第一分体以及与第一分体连接的多个第二分体,所述第二分体按预定间隔排布;
其中,所述第二分体上设置有镂空结构。
优选的,所述第一分体上也设置有镂空结构。
优选的,所述镂空结构包括多个孔洞,所述孔洞的横截面形状呈圆形、椭圆形或多边形。
优选的,所述孔洞按阵列分布。
优选的,所述第二分体呈阵列均匀分布。
优选的,所述第二分体倾斜设置且所述第二分体的边缘线与所述第一分体的边缘线形成夹角。
优选的,所述夹角为锐角时,所述夹角小于或等于45度;所述夹角为钝角时,所述夹角大于或等于135度。
优选的,所述第一分体包括交叉设置的第一电极分支和第二电极分支,位于所述第一电极分支一侧的所述第二分体与位于所述第一电极分支另一侧的所述第二分体关于所述第一电极分支对称分布。
优选的,位于所述第二电极分支一侧的所述第二分体与位于所述第二电极分支另一侧的所述第二分体关于所述第二电极分支对称分布。
本发明还提供一种一种液晶显示器,包括彩膜基板以及上述的薄膜晶体管阵列基板,所述彩膜基板与所述薄膜晶体管阵列基板之间设置有液晶层。
本发明的有益效果为:通过在像素电极上增加镂空结构,可以增加曝光过程中,光线穿过光罩的强度,从而增加光阻的感光强度,使像素电极的做的线宽更细、间距更小,同时减少曝光时间和曝光强度,提高生产效益。而在背景技术中已经提及,像素电极的线宽和线距减小,可以增加液晶显示器的液晶效率,液晶效率的提升可以增加液晶显示器的穿透率,从而提升显示品质。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811212975.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液晶显示器
- 下一篇:液晶显示装置及驱动方法