[发明专利]提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法在审
| 申请号： | 201811213988.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081810A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;曾俞衡;闫宝杰;张志;黄玉清;廖明墩;郭雪琪;杨清;王志学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 隧穿氧 多晶 钝化 接触 结构 性能 方法 | ||
1.一种提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：包括以下步骤，将隧穿氧/多晶硅钝化接触结构直接进行中低温热处理，或者首先在隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的掺杂硅薄层表面沉积一层氧化物膜，然后进行中低温热处理。
2. 根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至200-700℃并保温5 min以上。
3. 根据权利要求2所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温5 min以上。
4. 根据权利要求2所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述中低温热处理为以每分钟15-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温20-30min。
5.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述中低温热处理的氛围为氧化性气氛。
6.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述掺杂硅薄层表面沉积氧化物膜的沉积方法为物理沉积法或化学沉积法。
7.根据权利要求6所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述物理沉积法为PECVD、LPCVD、ALD、磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀中的任一种或组合。
8.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，其特征在于：所述氧化物膜为SiOx、Al2O3、TaOx、ZnOx中的一种或组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
