[发明专利]一种新型多晶硅生产预热方法及其装置在审

专利信息
申请号: 201811214725.5 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN111072029A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 周昆;游俊;廖丰杰;张义;彭小树 申请(专利权)人: 四川宏图普新微波科技有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035;F27B17/00;F27D19/00
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 胡晓
地址: 614000 四川省乐山*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 多晶 生产 预热 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:包括以下步骤:

A、将硅芯的两端分别连接于底盘的两电极上,并密闭还原炉;

B、向还原炉内通入保护气对还原炉内的空气进行置换;

C、启动微波发生器对硅芯进行微波照射;

D、启动电加热电源,并检测电加热电源的电压和电流;

E、根据步骤D测得的电压和电流测算硅芯的电阻率和硅芯温度,直至电阻率低于或硅芯温度高于时,关闭微波发生器,通过电加热电源对硅芯继续加热到反应温度。

2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:所述还原炉内充满氮气或氢气作为保护气。

3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:所述步骤C中电加热电源的电压为0.3kV -3kV。

4.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:所述步骤C和步骤D中的微波照射与电加热之间的时间间隔为0~60min。

5.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:所述步骤C的微波功率为0.2-200kW。

6.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅生产预热方法,其特征在于:所述步骤E中的取值范围为0.1-1.0Ω·cm,所述硅芯温度的取值范围为300~600℃。

7.一种新型多晶硅生产预热用还原炉,包括相互连接的底盘(1)和炉罩(2),所述底盘(1)上设置有电极(3),且所述电极(3)穿过底盘(1)插入到炉罩(2)内,其特征在于:还包括微波发生器(4),所述炉罩(2)或底盘(1)上设置有微波馈口(5),所述微波发生器(4)与微波馈口(5)相连;所述电极(3)与电加热电源(6)相连。

8.根据权利要求7所述的一种新型多晶硅生产预热用还原炉,其特征在于:所述电加热电源(6)内设置有用于检测硅芯两端电压和硅芯通过电流的电压检测装置(7)、电流检测装置(8)。

9.根据权利要求7所述的一种新型多晶硅生产预热用还原炉,其特征在于:所述微波发生器(4)和炉罩(2)之间还设置有微波传输器件(9),所述微波传输器件(9)内设置有封气挡板(10),所述封气挡板(10)采用石英玻璃、刚玉、蓝宝石玻璃或氧化锆陶瓷等透波材料制作。

10.根据权利要求7所述的一种新型多晶硅生产预热用还原炉,其特征在于:所述底盘(1)上设置有进气口(11)和排气口(12)。

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