[发明专利]一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法

权利要求书

1.一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

1)提供制作磁屏蔽片所需的磁性材料，对所述磁性材料进行卷绕处理；

2)将卷绕完成后的所述磁性材料进行热处理；

3)取至少一层热处理后的所述磁性材料进行单面覆胶处理；

4)将两片经过单面覆胶处理后的所述磁性材料进行贴合；

5)将贴合后的所述磁性材料进行碎化处理；

6)将碎化处理后的所述磁性材料进行二次贴合；

7)对二次贴合的所述磁性材料进行二次碎化处理，以此类推，直至最终得到的磁片性能达到要求；

8)将最终得到的所需性能规格的磁片按照相应尺寸要求进行冲切包边成型。

2.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：于步骤7)中，最终得到的磁片层数为单数层或双数层。

3.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：制备磁屏蔽片所需的所述磁性材料为铁基、钴基、铁镍基的非晶和纳米晶合金带材中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：制备磁屏蔽片的所述磁性材料厚度为10μm～40μm；材料宽度为50mm～110mm。

5.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：所述磁性材料经卷绕处理后的内直径为50mm～80mm，外直径为110mm～150mm。

6.根据权利要求3所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：当磁性材料为纳米晶材料时，热处理温度为450℃～600℃，升温时间为1小时～3小时，保温时间为1小时～4小时，升温阶段为2～3个阶段，保温阶段为3～5个阶段。

7.根据权利要求3所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：当磁性材料为非晶材料时，热处理温度为380℃～500℃，升温时间为1小时～2小时，保温时间为1小时～4小时，升温阶段为2个阶段，保温阶段为2个阶段。

8.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：热处理采用真空热处理或气氛热处理，在热处理同时可添加横磁场处理、纵磁场处理或不加磁场处理。

9.根据权利要求8所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：在气氛热处理中采用的气体为氮气或氩气等惰性气体。

10.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：对所述磁性材料进行单面覆胶时，采用卷料覆胶工艺进行作业，采用的胶材为有基材双面胶或者无基材双面胶，所述胶材厚度为2μm～15μm。

11.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：于步骤4)中，两片经过单面覆胶处理后的所述磁性材料进行贴合的具体步骤为：取一层单面覆胶的所述磁性材料进行另一面覆胶处理；将该双面覆胶的磁性材料与另一层单面覆胶的磁性材料进行贴合处理。

12.根据权利要求1所述的一种用于无线充电及NFC上的磁屏蔽片的制备方法，其特征在于：碎化处理采用的为辊对辊碎化方式，碎磁辊轮上的辊花形状为方形、菱形、圆形或者其他规则形状。