[发明专利]采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法及系统

权利要求书

1.一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的系统，其特征在于，所述系统包括：

激光器，用于产生原始的激光光束；

扩束器，设置在所述激光器的前方，用于对所述原始的激光光束进行扩束；

准直系统，设置在所述扩束器的前方，用于将扩束后的激光束进行准直；

反射镜，设置在所述准直系统的前方，用于改变激光束的光路；

偏振器件，接收经过所述反射镜后的激光束，用于将激光束变成线偏振光；

多个分束与折光系统，用于先将所述线偏振光分成三束相干光束，再将所述三束相干光束以一定的入射角分别照射至多个对应的基片上，从而形成无调制阵列结构。

2.根据权利要求1所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的系统，其特征在于，所述多个分束与折光系统包括第一分束与折光系统和第二分束与折光系统，所述第一分束与折光系统对应第一基片，所述第二分束与折光系统对应第二基片。

3.根据权利要求1所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的系统，其特征在于，所述基片的表面包括平面或非平面。

4.根据权利要求3所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的系统，其特征在于，所述基片的表面为不规则的曲面。

5.根据权利要求1所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的系统，其特征在于，所述无调制阵列结构包括条纹结构、柱形结构、锥形浮雕结构或孔状结构。

6.一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

采用权利要求1所述的系统产生三束相干光束；

将所述三束相干光束进行组合，对干涉场内的激光强度分布进行强弱调制；

用调制后重新分布的激光能量烧蚀设置于基片表面的加工材料。

7.根据权利要求5所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法，其特征在于，所述加工材料包括光敏材料。

8.根据权利要求5所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法，其特征在于，通过改变所述三束相关光束的入射光束的入射角、空间角或偏振状态来改变阵列结构的周期和特征尺寸。

9.根据权利要求5所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法，其特征在于，通过控制所述激光束的曝光剂量来实现阵列结构尺寸的调节。

10.根据权利要求5所述的一种采用激光干涉光刻技术制作无调制阵列结构的方法，其特征在于，通过采用多次曝光的方式实现不同特征尺寸阵列的多层刻蚀。