[发明专利]一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201811215433.3 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109494305A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张青红;张歆;李耀刚;王宏志;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 钙钛矿薄膜 前驱体溶液 低温制备 大晶粒 反溶剂 供体 薄膜 预处理 光电转换效率 晶粒 太阳能电池 低温成膜 均匀致密 退火处理 导电基 体积比 亚稳定 溶剂 滴加 旋涂 | ||
1.一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法，包括：
(1)将供体A和供体B加入溶剂中，搅拌，得到浓度为1～1.5M的钙钛矿前驱体溶液；其中供体A与供体B的摩尔比为1:1～2；
(2)将步骤(1)制得的钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，同时滴加反溶剂，得到亚稳定的中间相薄膜；其中钙钛矿前驱体溶液和反溶剂的体积比为1:1～3；
(3)将步骤(2)制得的中间相薄膜在60～80℃下退火处理，得到平均粒径为250～500nm的大晶粒钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的供体A为碘化铅、溴化铅中的一种或两种；供体B为碘化甲脒、溴化甲脒、碘化甲胺、溴化甲胺中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基亚砜的混合溶液。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述混合溶液中N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基亚砜的体积比为4:1。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的导电基底为FTO玻璃、ITO玻璃、AZO玻璃或ITO-PET。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的反溶剂为甲苯、氯苯、氯仿、乙醚或仲丁醇。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中导电电基预处理的工艺条件为：依次采用玻璃清洗剂、丙酮、乙醇超声清洗15～25min，然后在60～80℃的烘箱中烘干30～60min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中旋凃的转速为3000rpm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中低温退火的时间为10～20min。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)制得的大晶粒钙钛矿薄膜的厚度为500～700nm，用于柔性钙钛矿太阳能电池。
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