[发明专利]一种晶圆的清洗方法、装置、设备、介质及电子设备

权利要求书

1.一种晶圆的清洗设备，其特征在于，包括：第一供液管路、第一控制阀门、第二供液管路、第二控制阀门、混液管路、混液槽以及液体pH传感器；所述第一供液管路和第二供液管路连通于所述混液管路，所述第一供液管路设置有所述第一控制阀门，所述第二供液管路设置有所述第二控制阀门，所述混液管路连通于所述混液槽的入液口，所述混液槽的出液口连接晶圆冲洗管道，并设置有所述液体pH传感器。

2.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第一供液管路用于导流去离子水，并通过所述第一控制阀门用于控制所述去离子水的流量在预设的第一时间段内从预设的第一流量提升至预设的第二流量。

3.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第二供液管路用于导流显影液，并通过所述第二控制阀门用于控制所述显影液的流量在预设的第一时间段内从预设的第二流量降低至预设的第一流量。

4.根据权利要求1所述的晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液管路将所述第一供液管路的去离子水和所述第二供液管路的显影液输送到所述混液槽。

5.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液槽用于混合所述去离子水和所述显影液，将混合后的液体通过晶圆清洗管道清洗所述晶圆。

6.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述pH传感器检测所述混液槽的出液口液体的pH值，并根据所检测到的pH值控制所述第一控制阀门和所述第二控制阀门，使所述混液槽的出液口液体的pH值从13.2按照预设降低速率降低至7。

7.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第一控制阀门和所述第二控制阀门的流量控制范围为0ml/min至3000ml/min。

8.根据权利要求1所述的晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液槽的容量为1ml至1000ml。

9.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：

向混液槽供给去离子水和显影液；

所述去离子水和显影液在所述混液槽中进行混合，获得混合液以及所述混合液的pH值；

基于所述混合液的pH值分别控制所述去离子水和显影液向所述混液槽供给的流量，获得预设pH值的混合液；

将所述预设pH值的混合液向晶圆输送，清洗所述晶圆。

10.根据权利要求9所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述基于所述混合液的pH值分别控制所述去离子水和显影液向所述混液槽供给的流量，包括：

基于所述混合液的pH值控制去离子水的流量在预设的第一时间段内从预设的第一流量升高至预设的第二流量，其中，所述第二流量大于所述第一流量。

11.根据权利要求10所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述控制去离子水的流量在预设的第一时间段内从预设的第一流量提升至预设的第二流量通过公式：

Flow_(T0～T1)＝X₁/(T1-T0)*(T-T0)进行控制；其中，

Flow表示所述第一时间段内去离子水的流量变化，T0表示所述第一时间段的起始时刻，T1表示所述第一时间段的终止时刻，X₁表示所述去离子水的目标流量，T表示清洗制程的总时间。

12.根据权利要求10所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述混合液的pH值控制所述显影液的流量在预设的第一时间段内从预设的第二流量降低至预设的第一流量，其中，所述第二流量大于所述第一流量。