[发明专利]一种元数据刷写的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201811216766.8 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN109407989B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 李强;殷军博 申请(专利权)人: 郑州云海信息技术有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 450018 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 方法 装置
【说明书】:

本申请公开了一种元数据刷写的方法和装置,该方法包括:基于各个元数据的类型、冷热属性和数据量,按照NAND闪存最小写入量预先划分得到各个元数据单元,并给每个元数据单元唯一标识,在运行过程中若各个元数据单元中存在发生元数据更新的元数据单元,给发生元数据更新的元数据单元设定更新标志;响应于元数据写入NAND闪存的操作,依次刷写具有更新标志的元数据单元至NAND闪存;根据具有更新标志的元数据单元分配的唯一标识,对应更新具有更新标志的元数据单元在NAND闪存的存储地址。当写元数据至NAND闪存时,只刷写有更新标志的元数据单元,减小刷写的元数据量,以减少存储元数据块的数量,提高SSD的预留空间,从而增强SSD的性能、可靠性和耐久性。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域,尤其涉及一种元数据刷写的方法和装置。

背景技术

随着科学信息技术的快速发展,进入“云+数据”的新型互联网时代,在这新型互联网时代,固态硬盘是助推云计算、大数据发展的关键智能硬件,需要确保其性能和稳定性。其中,固态硬盘中元数据的管理与固态硬盘的性能和稳定性息息相关。

现有技术中,考虑到存储元数据的稳定性和可靠性,在固态硬盘(英文:SolidState Drives,缩写:SSD)运行过程中,按照需要将元数据全部写至SSD中采用单层单元(英文:Single-Level Cell,缩写:SLC)模式的存储块(简称块),存储元数据的块的数量取决于SSD运行周期内需要写入元数据的数据量。

但是,发明人经过研究发现,采用上述管理元数据的方式,当元数据的数据量较大时,即,需要写入元数据的数据量较大,所需存储元数据的块数量就较多,导致SSD的预留空间就较少,进而影响SSD的性能和稳定性。

发明内容

本申请所要解决的技术问题是,提供一种元数据刷写的方法和装置,减小需要刷写的元数据量,以减少存储元数据的块的数量,提高SSD的预留空间,从而增强SSD的性能、可靠性和耐久性。

第一方面,本申请实施例提供了一种元数据刷写的方法,该方法包括:

在运行过程中若各个元数据单元中存在发生元数据更新的元数据单元,对所述发生元数据更新的元数据单元设定更新标志,所述各个元数据单元是基于各个元数据的类型、冷热属性和数据量,按照NAND闪存最小写入量预先划分得到的,每个元数据单元分配有唯一标识;

响应于元数据写入所述NAND闪存的操作,依次刷写具有所述更新标志的元数据单元至所述NAND闪存;

根据具有所述更新标志的元数据单元分配的唯一标识,对应更新具有所述更新标志的元数据单元在所述NAND闪存的存储地址。

可选的,还包括:

根据各个元数据的类型、冷热属性和数据量,按照NAND闪存最小写入量预先划分获得所述各个元数据单元;

对所述各个元数据单元中的每个元数据单元分配唯一标识;

根据所述各个元数据单元在所述NAND闪存的存储地址,获取所述各个元数据单元。

可选的,所述每个元数据单元包括的元数据的数据量小于等于所述NAND闪存最小写入量,所述每个元数据单元包括的元数据的类型相同或冷热属性相近。

可选的,所述元数据的类型包括动态坏块表、块状态信息、块擦写次数和块有效存储数据量。

可选的,在所述依次刷写具有所述更新标志的元数据单元至所述NAND闪存之后,还包括:

清除或更改所述更新标志。

第二方面,本申请实施例提供了一种元数据刷写的装置,其特征在于,包括:

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