[发明专利]用于功率半导体芯片的压力辅助银烧结装置

权利要求书

1.一种用于功率半导体芯片的压力辅助银烧结装置，包括：纳米银膜转移工装，用于将纳米银膜附着到垫片或芯片上；银烧结工装，用于将芯片与附着有纳米银膜的垫片进行银烧结或者用于将垫片与附着有纳米银膜的芯片进行银烧结；

其特征在于，所述纳米银膜转移工装上开设有用于释放该工装在纳米银膜转移工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第一释压结构；以及

所述银烧结工装上开设有用于释放该工装在银烧结封装工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第二释压结构。

2.根据权利要求1所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，所述纳米银膜转移工装包括第一基板、第一定位框和第一连接结构，其中所述第一定位框上开设有所述第一释压结构，所述第一基板和所述第一定位框通过所述第一连接结构可拆卸连接。

3.根据权利要求2所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，所述第一释压结构为开设在所述第一定位框上的第一释压孔。

4.根据权利要求3所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，

所述第一基板上开设有用于容置纳米银膜的容置槽和多个第一基板定位孔；

所述第一定位框上开设有多个所述第一释压孔、多个用于定位垫片或芯片的银膜转移定位孔以及多个第一定位框定位孔；

所述第一连接结构包括多个第一定位销，每个第一定位销贯穿对应的第一基板定位孔和第一定位框定位孔，以实现所述第一基板和所述第一定位框的对准定位。

5.根据权利要求1所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，所述银烧结工装包括第二基板、第二定位框、第三定位框和第二连接结构，其中所述第二定位框上开设有所述第二释压结构，所述第三定位框上开设有第三释压结构，所述第二基板、所述第二定位框和所述第三定位框通过所述第二连接结构可拆卸连接。

6.根据权利要求5所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，所述第二释压结构为开设在所述第二定位框上的第二释压孔，所述第三释压结构为开设在所述第三定位框上的第三释压孔。

7.根据权利要求6所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，

所述第二基板上开设有多个第二基板定位孔；

所述第二定位框上还开设有多个用于定位第一垫片的第一垫片孔以及多个第二定位框定位孔；

所述第三定位框上还开设有多个用于定位芯片的芯片孔以及多个第三定位框定位孔；

所述第二连接结构包括多个第二定位销，每个第二定位销贯穿对应的第二基板定位孔、第二定位框定位孔和第三定位框定位孔，以实现所述第二基板、所述第二定位框和所述第三定位框的对准定位；

所述第一垫片或者所述芯片的集电极所在面经由所述纳米银膜转移工装附着有纳米银膜。

8.根据权利要求7所述压力辅助银烧结装置，其特征在于，

所述银烧结工装还包括第四定位框，该定位框上开设有多个第四释压孔、多个用于定位第二垫片的第二垫片孔以及多个第四定位框定位孔，

所述第二连接结构包括的每个第二定位销贯穿对应的第二基板定位孔、第二定位框定位孔、第三定位框定位孔和第四定位框定位孔，以实现所述第二基板、所述第二定位框、所述第三定位框和所述第四定位框的对准定位；

所述第一垫片和所述第二垫片经由所述纳米银膜转移工装附着有纳米银膜，或者，所述芯片的集电极所在面经由所述纳米银膜转移工装附着有纳米银膜。

9.根据权利要求8所述压力辅助银烧结装置，其特征在于，

所述第二垫片的尺寸小于所述芯片的尺寸，

所述银烧结工装，还包括挡板，该挡板上开设有多个第五释压孔、多个供所述芯片贯穿的芯片通孔以及多个挡板定位孔，所述挡板的厚度被配置成避免在银烧结过程中所述第四定位框与所述芯片发生接触，

所述第二连接结构包括的每个第二定位销贯穿对应的第二基板定位孔、第二定位框定位孔、第三定位框定位孔、挡板定位孔和第四定位框定位孔，以实现所述第二基板、所述第二定位框、所述第三定位框、所述挡板和所述第四定位框的对准定位。

10.根据权利要求9所述的压力辅助银烧结装置，其特征在于，

所述芯片通孔的直径大于所述芯片的长度，所述芯片通孔的直径大于所述第二垫片的长度。