[发明专利]半导体激光器封装硅基板芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器封装硅基板芯片，包括硅基板衬底(1)，绝缘层(2)和金层(3)；所述绝缘层(2)设于硅基板衬底(1)与金层(3)之间；

其特征在于：所述绝缘层(2)由彼此连接的二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)构成；所述二氧化硅层(21)连接硅基板衬底(1)；所述氮化硅层(22)连接金层(3)。

2.如权利要求1所述半导体激光器封装硅基板芯片，其特征在于：所述二氧化硅层(21)厚度为10-3000埃；所述氮化硅层(22)的厚度为100-10000埃。

3.如权利要求2所述半导体激光器封装硅基板芯片，其特征在于：所述二氧化硅层(21)厚度为2000埃；所述氮化硅层(22)的厚度为1500埃。

4.一种半导体激光器封装硅基板芯片制备方法，其特征在于包括如下步骤：

S1：选取硅基板衬底(1)放入管式炉中，以低压化学沉积的方式在硅基板衬底(1)表面生成二氧化硅层(21)；

S2：以低压化学沉积的方式在二氧化硅层(21)表面生成氮化硅层(22)；

S3：以光刻蚀方法在氮化硅层(22)表面形成定位V型槽的图形光刻；

S4：对二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)进行刻蚀；

S5：对二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)进行光刻胶旋涂；

S6：在氮化硅层(22)表面进行金层图形光刻，在氮化硅层(22)表面形成金属波导结构的光刻胶图形；

S7：用电子束蒸发的方式将金薄膜蒸发在步骤S6所得光刻胶图形上；

S8：将步骤S7所得产品放入溶解剂中浸泡，令氮化硅层(22)表面的光刻胶图形溶解，而金薄膜得到保留、在氮化硅层(22)表面形成呈金属波导电路图形的金层(3)；

S9：将步骤S8所得产品以用氢氧化钾或者TMAH浸泡，腐蚀没有得到氮化硅层保护的区域，得到带有定位V型槽的半导体激光器封装硅基板芯片。

5.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法，其特征在于：所述步骤S1中：以硅酸乙酯为源物质，在675℃的加工温度下以管式炉低压化学沉积的方式在硅基板衬底(1)表面形成二氧化硅层(21)。

6.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法，其特征在于：所述步骤S2中：以二氯二氢硅与氨气为源物质，在670℃的加工温度下以管式炉低压化学沉积的方式在二氧化硅层(21)表面形成氮化硅层(22)。

7.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法，其特征在于：所述步骤S7中：首先蒸发一层厚度100～1000埃的铬或者钛、形成铬/金或者钛/金结构的粘附层，随后以电子束蒸发的方式将金薄膜蒸发在步骤S6所得光刻胶图形上。